Além da memória GDDR7 de 37 Gbps, a Samsung Electronics também está se preparando para apresentar diversas outras inovações de memória no 2024 IEEE-SSCC. Primeiro, a empresa demonstrará a nova memória flash 3D QLCNAND de 280 camadas com densidade de 1 TB, que pode ser usada na próxima geração de SSDs convencionais e armazenamento de smartphones. O chip tem densidade de área magnética de 28,5 Gb/mm² e velocidade de 3,2 GB/s.
O tipo de flash 3D NAND mais rápido que atualmente alimenta os principais SSDs NVMe tem uma taxa de transferência de dados de E/S de aproximadamente 2,4 GB/s.
O próximo cronograma ISSCC de 2024 descreve planos de demonstração para memória de alta velocidade, incluindo variantes de 37 Gb/s e 35,4 Gb/s baseadas nas especificações Samsung e SKHynix GDDR7. Ambas as empresas pretendem aproveitar as tecnologias inovadoras de sinalização PAM3 e NRZ para fazer avanços na memória gráfica.
Embora a memória GDDR7 (com velocidades de até 32 Gb/s) tenha sido lançada oficialmente, a Samsung e a Hynix estão ampliando ainda mais os limites com velocidades de desenvolvimento de memória mais rápidas. A Micron também se juntou à briga, anunciando que está comprometida com o desenvolvimento de memória GDDR7 de 36 Gb/s, que deverá estar no mercado já em 2026. Nesta situação competitiva, a Samsung e a Hynix lançarão primeiro módulos com velocidades ligeiramente mais baixas e provavelmente lançarão gradualmente módulos de 35 Gb/s numa fase posterior.
A seguir vem uma nova geração de chips de memória DDR5 com taxa de transferência de dados DDR5-8000 e densidade de 32 Gbit (4 GB). O chip usa uma arquitetura de células DRAM em mosaico simétrico e é fabricado com base no nó de fundição de nível 10nm de quinta geração da Samsung, otimizado para produtos DRAM.
O que é impressionante sobre este chip é que ele permite que os fornecedores de memória de PC construam DIMMs de 32 GB e 48 GB (configurações de linha única) e DIMMs de 64 GB e 96 GB (configurações de linha dupla) em velocidades DDR5-8000 (assumindo que a plataforma pode lidar bem com DDR5-8000 de linha dupla).
Visão geral da velocidade da memória e largura de banda:
[GDDR6/X]256 bits a 23 Gbps:736 GB/s
[GDDR6]384 bits a 20 Gbps:960 GB/s
[GDDR6/X]384 bits a 21 Gbps:1,00TB/s
[GDDR6]256 bits a 24 Gbps:768 GB/s
[GDDR6]384 bits a 24 Gbps:1,15 TB/s
[GDDR7]256 bits a 32 Gbps:1,00TB/s
[GDDR7]384 bits a 32 Gbps:1,53 TB/s
[GDDR7]256 bits a 37 Gbps:1,18 TB/s
[GDDR7]384 bits a 37 Gbps:1,79 TB/s