Com o rápido desenvolvimento da inteligência artificial (IA) e da computação de alto desempenho (HPC), há uma demanda crescente por interconexões mais rápidas entre data centers. As interconexões ópticas tornaram-se uma solução viável para lidar com a expansão do desempenho de entrada/saída (E/S) eletrônica. O uso de materiais de silício para fabricar dispositivos optoeletrônicos pode não apenas combinar as vantagens dos materiais de silício em processos de fabricação maduros, baixo custo e alta integração, mas também aproveitar as vantagens da fotônica na transmissão de alta velocidade e alta largura de banda.
A Samsung uniu forças com a Broadcom para promover o desenvolvimento da tecnologia fotônica de silício e espera lançar esta tecnologia nos próximos dois anos. Esta cooperação é significativa. A Broadcom é um player importante na área de chips ópticos e sem fio. 30% de sua receita vem de chips sem fio e os outros 10% vêm de equipamentos de comunicação óptica. Ela já cooperou com a Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (TSMC) nesta área antes.
Foi relatado que a TSMC organizou uma equipe de P&D dedicada de aproximadamente 200 especialistas para se concentrar em como aplicar a fotônica de silício em futuros chips. A pessoa responsável pela TSMC disse que se ela puder fornecer um bom sistema integrado de fotônica de silício, poderá resolver as duas questões principais de eficiência energética e poder de computação de IA.
A solução proposta pela TSMC inclui o uso da tecnologia de co-embalagem fotoelétrica (CPO) para embalar componentes fotônicos de silício com chips integrados específicos para aplicações. Os componentes envolvidos cobrem a tecnologia de processo de 45nm a 7nm. A TSMC espera entregar amostras no início deste ano, iniciar a produção em massa no segundo semestre e expandir as remessas no próximo ano.
Embora a Samsung também esteja em negociações com outras empresas, incluindo a Nvidia, a sua cooperação com a Broadcom está a progredir mais rapidamente. A Samsung e a Broadcom pretendem integrar a tecnologia fotônica de silício na próxima geração de circuitos integrados para aplicações específicas e equipamentos de comunicação óptica.