A NEO Semiconductor anunciou recentemente o lançamento de dois novos designs de unidades 3D X-DRAM - 1T1C e 3T0C, que deverão mudar completamente o status quo da memória DRAM.Esses dois projetos usam arquiteturas de capacitância única de transistor único e capacitância zero de três transistores, respectivamente. Espera-se que os chips de teste de prova de conceito sejam produzidos em 2026 e fornecerão 10 vezes a capacidade dos atuais módulos DRAM comuns.
Baseada na tecnologia 3D X-DRAM da NEO, a unidade de memória recém-projetada é capaz de acomodar 512 Gb (64 GB) de capacidade em um único módulo, o que é pelo menos 10 vezes mais do que qualquer módulo atualmente no mercado.
Nas simulações de teste do NEO, essas unidades alcançaram velocidades de leitura e gravação de 10 nanossegundos e um tempo de retenção de mais de 9 minutos, ambos na vanguarda das capacidades DRAM atuais.
O novo design usa materiais à base de óxido de índio, gálio e zinco (IGZO), e as células 1T1C e 3T0C podem ser construídas como 3D NAND, usando um design empilhado para aumentar a capacidade e o rendimento, mantendo a eficiência energética.
Andy Hsu, CEO da NEO Semiconductor disse:"Com a introdução do 1T1C e 3T0C 3D X-DRAM, estamos redefinindo o que é possível na tecnologia de memória. Esta inovação rompe as limitações de escala da DRAM atual, tornando a NEO líder em memória de próxima geração."
A NEO Semiconductor planeja compartilhar mais informações sobre 1T1C, 3T0C e outros produtos das séries 3D X-DRAM e 3D NAND no Simpósio Internacional de Memória IEEE deste mês.