Na 69ª Conferência Internacional de Dispositivos Eletrônicos do IEEE (IEDM), Xin, o diretor da maior fábrica de armazenamento nacional, trouxe um artigo dizendo que havia feito um avanço tecnológico e poderia lidar com chips de tecnologia de 3 nm. A julgar pelo artigo publicado pela Changxin, isso demonstra seu avanço na tecnologia Gate-All-Around (GAA), que pode ser usada em chips de processo de 3 nm e, claro, também pode lidar com 5 nm, 7 nm, 10 nm e 14 nm.
Devido ao controle do processo do equipamento, a Changxin ainda não é capaz de produzir e fabricar, mas este artigo mostrou que eles possuem essa força técnica, e este é um microcosmo da inovação independente dos chips domésticos.
Antes disso, a Changxin Memory lançou oficialmente uma série de produtos LPDDR5, incluindo partículas LPDDR5 de 12 Gb, chips POP de 12 GBLPDDR5 e chips DSC de 6 GBLPDDR5.
A Changxin Storage também é a primeira marca nacional a lançar produtos LPDDR5 autodesenvolvidos e produzidos, alcançando avanço zero no mercado interno.
O chip LPDDR5 é a quinta geração de memória de acesso aleatório dinâmica de taxa dupla e consumo ultrabaixo. Em comparação com a geração anterior LPDDR4X, a capacidade e a velocidade de uma única partícula do Changxin Storage LPDDR5 aumentaram 50%, atingindo 12 Gb e 6400 Mbps respectivamente, enquanto o consumo de energia foi reduzido em 30%.