Esta é a primeira exibição pública da memória Intel ZAM! Na semana passada, informamos que a Intel alcançaria uma cooperação profunda com a Saimemory, uma subsidiária da SoftBank.Desenvolvemos em conjunto uma nova tecnologia de memória de próxima geração chamada ZAM (memória Z-angle). Sua capacidade máxima de chip único pode chegar a 512 GB e seu consumo de energia é 40% a 50% menor do que a atual memória HBM convencional. A intenção é quebrar o monopólio da HBM.
Achei que ainda estava longe, mas não esperava que a Intel mostrasse seus protótipos ao mundo tão rapidamente. De acordo com a mídia japonesa PCWatch,No evento Intel Connection Japan 2026, a Intel demonstrou publicamente seu protótipo de tecnologia de memória ZAM (memória Z-angle) pela primeira vez.
Joshua Fryman, acadêmico da Intel e diretor de tecnologia para tecnologia governamental, e Makoto Onho, CEO da Intel Japão, participaram do evento.
Este evento tem como foco principalComo o ZAM ajuda as soluções existentes a aliviar gargalos térmicos e de desempenho. Esta é também a primeira vez que esta tecnologia vai além de artigos de investigação e comunicados de imprensa e é apresentada ao mercado em forma de protótipo.
O principal avanço da tecnologia ZAM está no projeto arquitetônico. Ele abandona o modo de fiação vertical da memória tradicional e usa uma topologia de interconexão escalonada para realizar a fiação diagonal em "zigue-zague" dentro da pilha de chips. Ele usa tecnologia de ligação híbrida cobre-cobre para obter integração eficiente entre as camadas do chip.
Ao mesmo tempo, combina design sem capacitor com a madura tecnologia de interconexão EMIB da Intel.Ele não apenas alcança conexão de alta velocidade com o chip AI, mas também reduz significativamente a resistência térmica do chip, tornando o desempenho de dissipação de calor sua principal vantagem.
Em comparação com a atual memória HBM convencional no campo de IA, as vantagens do produto ZAM são muito proeminentes:A capacidade máxima de um único chip pode chegar a 512 GB e o consumo de energia é 40% -50% menor que o do HBM. Ele pode resolver com precisão o problema do alto consumo de energia em data centers de IA. O design de interconexão em forma de Z simplifica ainda mais o processo de fabricação e estabelece as bases para a subsequente produção em massa em grande escala.
Segundo informações divulgadas no evento, a Intel será responsável pelo investimento inicial e pela tomada de decisões estratégicas no projeto ZAM. A clara divisão de trabalho entre as duas partes torna mais claro o caminho de implementação desta tecnologia.
Na verdade, a Intel foi um participante importante no mercado de DRAM nos primeiros anos. Em 1985, retirou-se das pistas devido à concorrência dos fabricantes japoneses.
Hoje em dia, o treinamento global de grandes modelos de IA e a computação em data centers em escala ultralarga fizeram com que a demanda por poder de computação aumentasse exponencialmente. O gargalo da cadeia de fornecimento de DRAM tornou-se proeminente. O monopólio da memória HBM também trouxe problemas de custo e capacidade de produção, o que oferece uma oportunidade importante para o retorno da Intel. Contando com seu profundo acúmulo tecnológico nas áreas de empacotamento avançado e empilhamento de chips, a Intel está tentando aproveitar as oportunidades no mercado de memória AI com a tecnologia ZAM.
No entanto, a tecnologia ZAM ainda enfrenta um teste fundamental para alcançar um avanço no mercado. Se ele poderá, em última análise, quebrar a estrutura de mercado existente depende se poderá ser adotado por empresas líderes na indústria de IA, como a NVIDIA, e se poderá concluir com sucesso a produção em massa e a construção ecológica no futuro.
