A Apple está considerando fazer parceria com as empresas chinesas de semicondutores CXMT e YMTC para fornecer chips de memória e armazenamento para a próxima série do iPhone 18 e outros produtos, incluindo MacBooks e Macs de desktop.
Atualmente, a Apple depende principalmente de fornecedores de armazenamento e memória, incluindo Kioxia, Samsung e SK Hynix. No entanto, no contexto de oferta restrita da indústria e de aumentos acentuados de preços, estes fabricantes aumentaram os preços, colocando a Apple sob pressão para reduzir os lucros, mantendo ao mesmo tempo o preço oficial do produto (MSRP). A fim de distribuir os riscos de fornecimento e aliviar a pressão de custos, a Apple estaria avaliando a inclusão da memória flash DRAM da Changxin e da memória flash NAND da Yangtze Memory no sistema de fornecimento para reduzir a dependência dos fabricantes japoneses e coreanos.
Este desenvolvimento está intimamente relacionado com as últimas mudanças no ambiente regulatório dos EUA: o Bureau de Indústria e Segurança (BIS) do Departamento de Comércio dos EUA removeu recentemente a Changxin Storage e a Yangtze Storage da lista de empresas chinesas restritas, eliminando obstáculos políticos importantes para a Apple adotar os produtos destas duas empresas. Para a Apple, isso significa que ela tem a oportunidade de introduzir de forma mais flexível produtos de armazenamento e memória de fabricantes chineses locais de semicondutores na cadeia de fornecimento global, sem violar os regulamentos de controle de exportação dos EUA.
Em termos de memória, a Changxin Memory produziu em massa uma variedade de produtos, incluindo LPDDR5X e DDR5, e suas especificações são altamente consistentes com as linhas de produtos existentes da Apple. A série iPhone da Apple e os Macs equipados com SoC da série M autodesenvolvidos atualmente usam principalmente LPDDR5X como memória do sistema. Portanto, espera-se que os chips LPDDR5X com capacidade de 12 Gb e 16 Gb fornecidos pela Changxin cubram as principais necessidades de capacidade das linhas de produtos de telefonia móvel e computador da Apple Intelligence. Isto fornece uma base técnica realista e viável para a Apple introduzir fornecedores chineses de DRAM na próxima geração de dispositivos móveis e PCs.
Em termos de armazenamento, espera-se que a Yangtze Memory se torne uma importante força incremental na cadeia de fornecimento de memória flash da Apple. De acordo com a análise de desmontagem da TechInsights, a Yangtze Memory produziu chips de memória flash 3D NAND de quinta geração em massa, com um número total de camadas empilhadas chegando a 294, das quais 232 são camadas de armazenamento efetivas. Com uma densidade de bits próxima de 19,8 Gb por milímetro quadrado, a eficiência de área desta geração está se aproximando dos níveis atualmente alcançados pelos principais fabricantes de NAND do mundo. Isso significa que, sem sacrificar a densidade e o desempenho do armazenamento, os chips da Yangtze Memory podem ser integrados de maneira relativamente suave na cadeia de suprimentos de terminais de ponta existente, sem "rebaixamentos" significativos nos indicadores.
Se a Apple finalmente adotar a DRAM da Changxin Memory e a NAND da Yangtze Memory, o cenário de armazenamento e memória do mercado global de eletrônicos de consumo de alta tecnologia poderá passar por um certo grau de reorganização. Para a Apple, isto não só ajudará a aliviar a atual pressão de custos causada pela escassez global de memória e memória flash, mas também ganhará maior espaço de manobra em termos de segurança de abastecimento, espaço de negociação e dispersão de riscos geopolíticos. Para os actuais fabricantes de armazenamento japoneses, coreanos e alguns americanos, isto significa que o seu futuro domínio de mercado em smartphones e PCs topo de gama poderá enfrentar uma concorrência mais directa dos fabricantes chineses.