De acordo com a mídia coreana The Elec, a Samsung Electronics planeja interromper oficialmente a produção de armazenamento de memória flash 2D NAND este ano e transformar de forma abrangente as antigas linhas de produção relacionadas para se adaptar à demanda crescente por poder de computação de inteligência artificial e memória de alta largura de banda (HBM).
O relatório apontou que a linha de produção 12 da Samsung em sua base de Hwaseong, na Coreia do Sul, é atualmente usada principalmente para produzir NAND 2D, e esse processo já é uma “tecnologia antiga”. A linha de produção tem capacidade de produção mensal de cerca de 80.000 a 100.000 wafers de 12 polegadas. No entanto, com a tendência geral do NAND 3D substituir completamente o NAND planar, seu propósito original não está mais alinhado com a direção do mercado. A Samsung não optou por simplesmente fechar as instalações, mas em vez disso converteu um grande número de seus ainda valiosos equipamentos de fabricação de wafers para o processo de metalização DRAM, que é a formação de caminhos de fios metálicos dentro do chip DRAM que conectam as células de memória.
Após a conclusão da transformação, a Linha Hwaseong 12 será usada para produzir a DRAM 1c classe 10 nm de sexta geração da Samsung. Este nó de processo será usado para os produtos HBM4 da próxima geração. A Samsung espera que, até o segundo semestre deste ano, sua capacidade total mensal de produção de 1c DRAM aumente para aproximadamente 200.000 wafers. A linha de produção renovada de Hwaseong operará em conjunto com as linhas de produção P3 e P4 da Pyeongtaek para fornecer maior suporte à capacidade de produção do HBM4.
A memória flash 2D NAND foi introduzida pela primeira vez no final da década de 1990 e está em produção em massa há muitos anos. No entanto, nos últimos anos, os principais fabricantes de armazenamento mudaram gradualmente seu foco para a estrutura empilhada 3D NAND. Comparado com o NAND planar tradicional, o 3D NAND tem vantagens óbvias em densidade de capacidade, confiabilidade e desempenho geral, e é adequado para atender às necessidades de data centers e equipamentos terminais de última geração. A Samsung planeja interromper completamente a produção de NAND 2D em março deste ano para liberar mais espaço de fabricação para NAND 3D e outros produtos de armazenamento de alto valor agregado.
Os membros da indústria acreditam que, ao transformar a linha de produção 2D NAND original em DRAM e capacidade de produção relacionada à HBM, espera-se que a Samsung consolide ainda mais sua posição no mercado global de armazenamento de alta largura de banda. No contexto atual de oferta restrita de memória, aumentar a capacidade efetiva de produção de DRAM avançada e HBM também ajudará a aliviar, até certo ponto, a oferta restrita de armazenamento e a pressão ascendente sobre os preços.