A taxa de rendimento DRAM de 1 dnm da Samsung não atende ao padrão, o que pode levar ao adiamento da produção em massa do HBM5E

Recentemente, uma fonte revelou queA taxa de rendimento dos chips DRAM da Samsung baseados no processo 1dnm (processo de nível 10nm de sétima geração) durante a fase de produção experimental foi menor do que o esperado. A Samsung planejou adiar indefinidamente a produção em massa em grande escala até que a taxa de rendimento atinja a meta estabelecida.Para este fim, a Samsung poderá rever exaustivamente o fluxo do processo para melhorar ainda mais a taxa de rendimento.

De acordo com o plano original,A Samsung planeja usar chips DRAM fabricados no processo 1dnm para HBM5E, a solução HBM de nona geração.

Vale ressaltar que, além do HBM4, os chips DRAM que atualmente utilizam o processo 1cnm também serão utilizados no HBM4E e HBM5, abrangendo três gerações consecutivas de produtos HBM. Também há rumores de que a Samsung pode atualizar a matriz básica da próxima geração HBM e mudar para um processo mais avançado de 2nm.

Atualmente, a Samsung investiu mais recursos em chips DRAM de processo 1dnm e construiu uma nova fábrica na Coreia do Sul.

É relatado que,A fábrica ocupa uma área do tamanho de quatro campos de futebol padrão. Além de produzir chips DRAM, também realizará embalagens, testes, logística e controle de qualidade. Esses processos são cruciais para manter a produção estável.