A Kioxia Corporation anunciou recentemente que começou a enviar amostras de dispositivos de memória de célula tripla de camada (TLC) de 1 TB (terabit) usando sua tecnologia de memória flash BiCS FLASH 3D de 10ª geração para os clientes. Este lote de novos produtos será integrado principalmente nas unidades de estado sólido (SSDs) de classe empresarial e de data center da KIOXIA, com o objetivo de fortalecer ainda mais sua linha de produtos para atender às necessidades crescentes e urgentes de alto desempenho, grande capacidade e baixo consumo de energia na área de armazenamento de inteligência artificial (IA).
É relatado que essas inovações serão fabricadas localmente usando equipamentos de última geração na fábrica Kitakami Fab2 na província de Iwate, Japão.
Em termos de arquitetura técnica, a tecnologia de 10ª geração continua a usar a tecnologia "CMOS direct bonding to wafer array (CBA)" e a tecnologia "equal pitch select gate dreno (OPS)" introduzidas desde a 8ª geração BiCS FLASH. Graças à integração inovadora destas duas tecnologias principais, a nova geração de memória flash alcançou uma velocidade de interface NAND de até 4,8 Gb/s, um aumento significativo de 33% em comparação com os produtos de 8ª geração. Ao mesmo tempo, a sua densidade de bits aumentou significativamente em 59%, conseguindo um surpreendente empilhamento vertical de 332 camadas e otimizando a densidade lateral. Em termos de eficiência energética, a eficiência energética de gravação e leitura da nova tecnologia também foi melhorada em 18% e 30%, respectivamente, o que ajudará efetivamente os centros de dados modernos e a infraestrutura de nível empresarial a reduzir o consumo geral de energia e os custos operacionais.
Atualmente, a KIOXIA está a promover simultaneamente duas linhas de produtos distintas sob a orientação da sua única "estratégia de eixo duplo": a primeira é a solução de 9ª geração, que pode proporcionar um desempenho altamente competitivo e excelente, mantendo um custo de investimento relativamente baixo; a segunda é a tecnologia de 10ª geração lançada desta vez, que alcança expansão de capacidade ultragrande e excelente desempenho por meio de tecnologia de empilhamento de camadas mais avançada.