Resumo:
MemSilicon anunciou a conclusão da fita adesiva do chip RRAM de primeira geração de alta densidade e grande capacidade "MountTai 2026" baseado na rota da tecnologia 1TnR.
É relatado que "Taishan No. 1" é um marco no avanço da MemSilicon da nova tecnologia de chip de memória 1TnR de alta densidade e grande capacidade, desde as pesquisas iniciais até a comercialização de chips de nível Gb. Esta rota técnica aumenta a capacidade de armazenamento por unidade de área, compartilhando transistores selecionados com múltiplas células de memória de comutação resistiva e usa um método de integração back-end que é totalmente compatível com a plataforma CMOS para atingir densidade, capacidade e custo.
O chip usa uma plataforma de processo CMOS de 28 nm e uma estrutura de unidade 1T4R, com capacidade de chip único de 1 Gb, densidade de 30 Mb/mm², atraso de acesso inferior a 20 ns e um circuito integrado de correção de erros de hardware no chip. Ele alcança um avanço colaborativo entre leitura de grande capacidade, alta densidade e alta velocidade e fornece uma solução internacionalmente competitiva para novas aplicações de armazenamento não volátil de alta densidade e grande capacidade no chip.
No momento, "Taishan No. 1" concluiu a gravação e está avançando na verificação.
"Taishan No. 1" adota uma estrutura 1T4R, ou seja, um transistor de seleção corresponde a quatro células de memória de comutação resistiva. Mas compartilhar transistores não significa que a densidade e o desempenho do número de células de memória aumentem proporcionalmente. Caminhos de corrente não-alvo entre múltiplas células de memória, interferência de leitura e gravação e confiabilidade sob diferentes condições operacionais exigem otimização conjunta de dispositivos, processos e projetos de circuitos.
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