A Intel Foundry Services (IFS) anunciou hoje que seu primeiro nó de fabricação de silício utilizando tecnologia de litografia ultravioleta extrema (EUV), o nó Intel 4, iniciará a produção em massa. No dia 29 de setembro, os 4 nós da Intel iniciarão a produção na fábrica da empresa (Fab34) em Leixlip, na Irlanda.
O CEO da empresa, Pat Gelsinger, a gerente geral de desenvolvimento de tecnologia da Intel, Dra. Ann Kelleher, e o diretor de operações global, Keyvan Esfarjani, participarão da primeira cerimônia de comemoração da produção de wafer.
A Intel Gen 4 é uma fundição avançada que utiliza tecnologia EUV, com densidade de transistor e características elétricas comparáveis aos nós de fundição de 5 nm e 4 nm da TSMC.
O primeiro lote de chips fabricados inclui chips de computação para os processadores Core “Meteor Lake” da empresa, que contêm núcleos de CPU de próxima geração. Comparado com o atual Intel de 7 nós, o Intel de 4 nós dobrou a área da biblioteca lógica, aumentou o consumo de energia equivalente em 20% e introduziu novos capacitores de metal-isolante-metal (MIM).
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