A TSMC pode atrasar seu nó de fabricação de semicondutores de 2 nm para 2026. Se os rumores sobre o atraso da TSMC em seu plano de produção de 2 nanômetros forem verdadeiros, o impacto será sentido em toda a indústria de semicondutores. A hesitação da TSMC em avançar a tecnologia pode ser causada por uma série de fatores, incluindo a mudança arquitetônica de FinFET para Gate-All-Around (GAA) e desafios potenciais associados à escala para 2 nm.
A TSMC planeja construir uma fábrica Fab20 na segunda fase de Zhuke Baoshan, planejando um total de quatro fábricas de wafer de 12 polegadas (P1 ~ P4). Esperava-se originalmente que entrasse na produção experimental de risco no segundo semestre de 2024 e entrasse na produção em massa em 2025. O progresso mais recente é que o Zhuke Management Bureau iniciou obras públicas para a segunda fase do plano de expansão de Baoshan, como estradas circundantes, piscinas de águas residuais, etc., e entregou o terreno à TSMC para iniciar as operações de construção da fábrica simultaneamente.
De acordo com as últimas notícias da cadeia de abastecimento, o plano de construção da fábrica de Baoshan começou a desacelerar, o que pode afetar o plano original de produção em massa. Especialistas da indústria especulam que o tempo de aceleração pode ser adiado para 2026.
Quanto à planta de Kaohsiung, ela começou a construir uma planta de 2 nanômetros simultaneamente com a planta de Baoshan de Hsinchu. A operação original de pedido de máquinas ocorreu apenas um mês depois da operação da fábrica de Baoshan. Atualmente não se sabe se a desaceleração na fábrica de Baoshan afetará a fábrica de Kaohsiung ao mesmo tempo. Quanto à fábrica de Taichung, esta foi aprovada na revisão municipal do Governo da Cidade de Taichung, mas o início da construção terá de esperar até ao próximo ano. Alguns meios de comunicação disseram que a fábrica de Zhongke não descarta avançar diretamente para um centro de produção de 1,4 nanômetro ou mesmo 1 nanômetro.
A empresa é um player importante na área e atrasar a produção pode abrir oportunidades para rivais como a Samsung, cujos chips de 3 nanômetros já fizeram a transição para a arquitetura de transistor GAA. O relatório de procura “deprimida” é surpreendente dada a enorme procura por nós avançados devido ao aumento da inteligência artificial, da Internet das Coisas e de outras tecnologias da próxima geração.
No entanto, também é possível que seja muito cedo para os clientes assumirem compromissos firmes até 2025 e além. A TSMC refutou esses rumores, dizendo que a construção está no caminho certo, incluindo testes de 2 nm em 2024 e produção em massa no segundo semestre de 2025.
Ainda assim, quaisquer atrasos no roteiro da TSMC poderiam servir como um catalisador para mudanças na dinâmica do mercado. As empresas que dependem fortemente dos nós avançados da TSMC podem precisar reavaliar seus cronogramas e estratégias. Além disso, se a Samsung aproveitar esta oportunidade, poderá alcançar uma concorrência igual até certo ponto. Porém, por enquanto, esses rumores devem ser tratados com cautela até que informações mais concretas sejam obtidas.