Resumo:
Espera-se que a empresa chinesa de chips de memória Changxin Memory (CXMT) lance oficialmente a produção em massa de memória HBM3E de alta largura de banda antes do final de 2026, marcando a primeira vez que um fabricante chinês local entra no mercado avançado de HBM. Este progresso é considerado um marco importante para a cadeia da indústria de inteligência artificial da China melhorar as suas capacidades de fornecimento independente.
De acordo com as últimas notícias do setor, a Changxin Storage planeja iniciar a produção em massa do HBM3E nos próximos dois meses. Em agosto deste ano, a empresa iniciou a produção experimental de risco do HBM3E e forneceu amostras para alguns clientes. Hoje, os produtos relacionados avançam gradativamente para a fase de comercialização.
HBM é uma das tecnologias de armazenamento mais críticas para os atuais aceleradores de inteligência artificial, GPUs de data center e sistemas de computação de alto desempenho. Devido à sua capacidade de fornecer largura de banda muito maior do que a DRAM tradicional, a HBM tornou-se um componente central indispensável para treinamento e execução de modelos de inteligência artificial em larga escala. Atualmente, o mercado global de HBM é controlado principalmente pela SK Hynix, Samsung Electronics e Micron.
De acordo com os padrões JEDEC, o HBM3E adota um design de barramento de 1024 bits e a velocidade de transmissão de pino único pode atingir 9,2 Gbps a 12,4 Gbps. A configuração principal é geralmente de 9,6 Gbps. Sua largura de banda total é de aproximadamente 1,2 TB/s e pode fornecer configurações de capacidade de 24 GB a 36 GB, incluindo duas soluções convencionais: empilhamento de 8 camadas e empilhamento de 12 camadas.
No entanto, a produção em massa não é fácil para a Changxin Storage. As notícias da indústria mostram que a HBM3E ainda enfrenta desafios de rendimento. Como a HBM usa matrizes DRAM multicamadas para serem empilhadas verticalmente através de TSV através de tecnologia de silício, o que requer processos de fabricação e embalagem extremamente elevados, a taxa de rendimento tornou-se um fator importante que restringe a expansão da capacidade de produção.
Fontes revelaram que a atual taxa de rendimento geral do Changxin Storage HBM3E é de cerca de 20% a 30%, o que é significativamente inferior ao nível dos principais fabricantes internacionais. Entre eles, a taxa de rendimento na fase inicial de fabricação do wafer é de cerca de 30%. Depois de entrar na embalagem final, a taxa de aprovação pode ser melhorada em cerca de 70%. No entanto, no final, a taxa de rendimento global ainda tem muito espaço para melhorias.
Os analistas do setor acreditam que o maior desafio técnico para a Changxin Storage atualmente vem da maturidade da tecnologia TSV. Em comparação com os fabricantes internacionais, ainda existe uma certa lacuna no seu processo de empilhamento. Por exemplo, a Samsung usa cerca de 5.000 conexões TSV em uma única camada na era HBM2, enquanto a SK Hynix ultrapassou 8.000 em produtos HBM3. A Changxin Memory está tentando usar cerca de 3.000 TSVs para implementar o design HBM3E, que impõe requisitos mais elevados à precisão e confiabilidade da fabricação.
Limitada por fatores técnicos relevantes, espera-se que a Changxin Storage se concentre em produtos HBM3E empilhados de 8 camadas no curto prazo e não avançará rapidamente para produtos empilhados de 12 camadas com maior capacidade por enquanto.
Ao mesmo tempo, diversas agências de notícias divulgaram que a Changxin Memory forneceu duas versões de amostras HBM3E para empresas nacionais de chips de IA, incluindo uma versão padrão e uma nova versão otimizada para rendimento. Amostras relevantes estão sendo testadas e verificadas pelo cliente.
Em termos de desempenho, testes preliminares mostram que o desempenho geral dos atuais produtos HBM3E da Changxin Storage está mais próximo do HBM3 da geração anterior da SK Hynix, mas ainda há uma lacuna em comparação com os produtos HBM3E internacionalmente avançados. No entanto, especialistas da indústria salientaram que, para os fabricantes que acabaram de entrar no caminho da HBM, alcançar a produção em massa é um grande avanço.
Os analistas acreditam que mesmo que a taxa de rendimento atual não seja alta, a Changxin Storage ainda tem motivação para continuar a promover a produção em massa. À medida que a demanda dos fabricantes de chips de IA da China por memória de alta largura de banda cresce rapidamente, a importância das fontes locais de fornecimento da HBM continua a aumentar. Diante da oferta restrita de armazenamento avançado de IA e da pressão trazida pelas restrições às importações, há uma demanda óbvia por produtos HBM no mercado interno.
O mercado tem visto um aumento nos preços dos chips de IA recentemente, e o fornecimento de memória de alta largura de banda é geralmente considerado um dos motivos importantes. Empresas de chips, incluindo Alibaba Pingtouge e Cambrian, já foram expostas a testar soluções domésticas da HBM na esperança de reduzir a sua dependência de cadeias de abastecimento estrangeiras.
A indústria prevê que, se a verificação do cliente ocorrer sem problemas, os produtos aceleradores de IA domésticos que usam Changxin Storage HBM3E deverão entrar no mercado já em 2027. Embora ainda haja uma lacuna tecnológica de uma a duas gerações em comparação com os principais fabricantes do mundo, a entrada da Changxin Storage no campo HBM significa que o ecossistema de hardware de IA local da China está completando peças-chave do quebra-cabeça e começando a desafiar o mercado de armazenamento de IA de ponta.
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