A mídia coreana afirmou que o HBM4E de 12 camadas da Samsung foi verificado pela NVIDIA e outros clientes, mas nenhum contrato de fornecimento foi divulgado ainda.

📅 2026-10-08

Resumo:

A nova geração de memória de alta largura de banda HBM4E de 12 camadas da Samsung Electronics passou na verificação de qualidade do cliente pela NVIDIA e por vários grandes provedores de serviços em nuvem. A "Economia da Coreia" da Coreia do Sul informou que o departamento de memória da Samsung concluiu testes relevantes no final de setembro; no entanto, passar no teste não significa que um contrato de fornecimento foi assinado e que a respectiva quantidade do pedido, valor do contrato e tempo de fornecimento da produção em massa do cliente ainda não foram confirmados. A Samsung disse que não poderia confirmar as notícias de verificação.

A TechPowerUp vinculou o relatório ao acelerador Rubin Ultra de próxima geração da NVIDIA, mas o relatório original coreano mencionou apenas a NVIDIA e os principais clientes de data centers em hiperescala e não disse explicitamente que o teste era direcionado ao Rubin Ultra. Os dados da GPU Rubin atualmente divulgados pela NVIDIA confirmam que ela usa HBM4, com configuração máxima de 288 GB e largura de banda de até 22 TB/s; os detalhes do pedido ou certificação do Rubin Ultra usando Samsung HBM4E ainda não foram anunciados, então a correspondência entre os dois ainda é especulação.

O exemplo HBM4E anunciado pela Samsung em maio é uma pilha de 12 camadas com uma única pilha de 48 GB. A velocidade padrão do pino é de 14 Gbps e pode ser expandida para 16 Gbps. De acordo com dados divulgados pela Samsung, a largura de banda de pilha única pode atingir até 3,6 TB/s, e a largura de banda teórica é de cerca de 4 TB/s no limite superior de 16 Gbps. A empresa também planeja expandir a versão de 32 GB de 8 camadas e a versão de 64 GB de 16 camadas de acordo com a demanda do cliente, mas essas especificações não significam que os produtos correspondentes tenham sido produzidos em massa.

A Samsung disse que o HBM4E usa o processo DRAM de 10 nanômetros de sexta geração (1c) e seu próprio chip de base lógica de 4 nanômetros; em comparação com a geração anterior, o design de baixo consumo de energia e a otimização da embalagem melhoram a eficiência energética em 16% e reduzem a resistência térmica em mais de 14%. A empresa enviou amostras de 12 camadas para grandes clientes em maio deste ano e afirmou que a produção em massa será coordenada com os cronogramas dos clientes; isso é diferente do progresso da verificação do cliente. Nesta fase, ainda não é possível concluir que a Samsung obteve um pedido de fornecimento de produção em massa da Nvidia.

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