Resumo:
Os dados mais recentes da instituição de pesquisa de mercado Counterpoint Research mostram que, impulsionado pelo boom na construção de infraestrutura de inteligência artificial, o mercado global de DRAM alcançará um crescimento de receita anual de 369% no terceiro trimestre de 2026. À medida que a demanda por memória de alto desempenho em aceleradores de IA e data centers continua a aumentar, o preço médio de venda de DRAM (ASP) atingiu o nível de US$ 1,9 por Gb.
Do ponto de vista da estrutura do fabricante, as empresas coreanas continuam a dominar o mercado global de DRAM. Entre eles, a Samsung Electronics ocupa o primeiro lugar com uma participação de mercado de 38%, e a SK Hynix ocupa o segundo lugar com uma participação de 29%. Embora a receita da SK Hynix no terceiro trimestre tenha aumentado mais de 40% em relação ao trimestre anterior, o atual impulso geral é mais favorável para a Samsung.
A fabricante americana de chips de memória Micron ocupa o terceiro lugar, com uma participação de mercado de 21%, e a China Changxin Memory (CXMT) ocupa o quarto lugar, com uma participação de 9%. Embora a quota de mercado da Changxin Storage tenha aumentado em comparação com o mesmo período do ano passado, caiu 1 ponto percentual em comparação com o segundo trimestre deste ano.
No entanto, o cenário competitivo do mercado está mudando com a evolução da tecnologia de memória de alta largura de banda (HBM). A Counterpoint destacou que a SK Hynix dominava anteriormente o mercado HBM3E, mas a indústria está em transição para uma nova geração de HBM4, e a Samsung já assumiu a liderança no campo HBM4.
Essa transformação tecnológica também representa um desafio para a Changxin Storage. A empresa planeja iniciar a produção em massa do HBM3E no próximo ano, mas ainda há uma certa lacuna em comparação com o ritmo de desenvolvimento mais recente da indústria.
No entanto, nem todas as aplicações de IA dependem da HBM. Com o rápido crescimento da Agentic AI (IA de agente inteligente), a demanda por DDR e LPDDR usados como memória de sistema também experimentou um crescimento explosivo. Os dados mostram que a procura de DDR aumentou 500% em termos anuais e a procura de LPDDR aumentou 400% em termos anuais. Ao contrário do HBM, que é usado principalmente para placas aceleradoras de IA, esse tipo de memória assume as tarefas básicas de operação do sistema e processamento de dados.
No campo da memória móvel, a Changxin Memory assumiu a liderança na produção em massa da última geração LPDDR6. Vale ressaltar que a versão de 16 GB de memória do telefone com tela dobrável Xiaomi 18 Fold já usa LPDDR6, enquanto a versão de 12 GB continua usando LPDDR5X.
Do ponto de vista da lucratividade, a HBM continua sendo a categoria de produto mais lucrativa no campo DRAM. A receita relacionada à HBM no terceiro trimestre quase dobrou em comparação com o mesmo período do ano passado. Mas, ao mesmo tempo, a taxa de crescimento da receita de DDR e LPDDR excede a da HBM, mostrando que a era da IA está beneficiando toda a cadeia da indústria de memória.
A Counterpoint também destacou que, embora o aumento dos preços da DRAM tenha desacelerado desde o segundo semestre de 2026 em comparação com o primeiro semestre do ano, o nível geral de preços ainda permanecerá alto. MS Hwang, diretor de pesquisa da agência, disse que os preços das memórias deverão permanecer fortes no próximo ano. Entre eles, o preço dos produtos HBM, cujo crescimento este ano está aquém do da DRAM normal, está a acompanhar o nível do mercado, e os acordos de fornecimento a longo prazo estão a apoiar os preços. Além disso, uma vez que as principais novas fábricas de wafers não serão oficialmente colocadas em funcionamento até 2028, a situação de escassez de oferta não será significativamente aliviada no curto prazo.
Sob a dupla influência da expansão contínua da procura de IA e da libertação limitada de nova capacidade de produção, o mercado global de DRAM está no meio de um novo ciclo de expansão e os preços da memória poderão permanecer num nível elevado nos próximos anos.
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