Hoje a Intel publicou um documento apresentando uma série de avanços tecnológicos demonstrados na IEDM2024 (2024 IEEE International Electronic Devices Conference).Em termos de novos materiais, a tecnologia de interconexão subtrativa de rutênio pode reduzir a capacitância entre linhas em até 25%, ajudando a melhorar a interconexão intra-chip.
A Intel Foundry também é a primeira a demonstrar uma solução de integração heterogênea para embalagens avançadas que pode aumentar o rendimento em até 100 vezes e alcançar uma montagem ultrarrápida de chip a chip.
Além disso, a Intel Foundry também demonstrou a tecnologia Ribbion FETCMOS (semicondutor de óxido metálico complementar) baseada em silício e módulos de gateóxido para reduzir transistores de efeito de campo 2D (2DFETs) para melhorar o desempenho do dispositivo.
Em termos de tecnologia GaN (nitreto de gálio) de 300 mm, a Intel Foundry também continuou a avançar na pesquisa e fabricou GaNMOSHEMT de modo de aprimoramento em miniatura de alto desempenho líder da indústria (transistor de alta mobilidade de elétrons semicondutor de óxido metálico).
Ele pode trazer desempenho mais forte para aplicações como dispositivos de energia e dispositivos de radiofrequência, reduzindo a perda de sinal, melhorando a linearidade do sinal e soluções avançadas de integração baseadas no processamento de retorno de substrato.
A Intel Foundry também acredita que os três principais focos de inovação a seguir ajudarão a IA a se desenvolver em uma direção com maior eficiência energética na próxima década:
Integração avançada de memória para eliminar gargalos de capacidade, largura de banda e latência;
Ligação híbrida para otimizar a largura de banda de interconexão;
Sistemas modulares e soluções de conexão correspondentes