A Samsung está considerando ajustar sua estratégia de fabricação de DRAM e planeja reduzir a capacidade geral de produção de DRAM do processo de 1a nm originalmente usada para produzir memória HBM3E em 30% a 40%.Posteriormente, a Samsung expandirá sua capacidade de processo de 1 bilhão nm adequada para produtos de memória padrão (como DDR5 e LPDDR5x) por meio de conversão de processo para maximizar os lucros gerais.
Devido à explosão da demanda por IA, à apreensão da capacidade de produção principal pela HBM e à expansão limitada da produção de curto prazo, os preços de produtos de memória em geral, como DDR5, LPDDR5x e GDDR7, aumentaram rapidamente recentemente.
Para a Samsung, a atual capacidade de produção do processo 1b nm ultrapassou o processo 1a nm, que tradicionalmente se acredita beneficiar do elevado preço da HBM, em termos de rentabilidade.
Embora a Samsung tenha conseguido se tornar fornecedora de HBM3E da NVIDIA, sua escala de fornecimento era relativamente limitada e o preço médio de venda do próprio HBM3E da Samsung era 30% inferior ao de seu concorrente SK Hynix.
Com base nesses fatores, os participantes do mercado analisam que se a Samsung mudar 30% a 40% da capacidade de produção do processo 1a nm e a capacidade de produção de processos mais maduros, como 1z nm para 1b nm, espera-se que o volume mensal de produção de wafer do processo 1b nm se expanda em mais 80.000 wafers, o que ajudará significativamente a lucratividade geral da Samsung.
