A Samsung sofreu um grande revés em sua busca por memória de última geração.Como a taxa de rendimento da tecnologia básica D1d DRAM não atingiu as metas internas, a Samsung decidiu adiar indefinidamente o plano de produção em massa da próxima geração de memória HBM5E.A DRAM D1d em questão desta vez é o processo de 10 nanômetros de sétima geração da Samsung, que foi originalmente a base central das futuras soluções HBM. De acordo com o plano, essa tecnologia será utilizada no produto HBM de nona geração, HBM5E.
Embora a tecnologia já tivesse recebido aprovação de pré-produção, os rendimentos continuaram a cair abaixo dos níveis-alvo, tornando questionável o retorno do investimento para operações experimentais, e muito menos para a produção em massa.
De acordo com pessoas familiarizadas com a situação interna da Samsung, a Samsung planeia reiniciar a produção em massa até que a taxa de rendimento D1d atinja o nível alvo. O calendário de recuperação atual não está de todo determinado. A Samsung está revisando internamente o roteiro do processo na tentativa de melhorar ainda mais a taxa de rendimento.
É importante notar que a tecnologia 1c DRAM existente da Samsung está atualmente sendo usada de forma estável em três gerações de produtos HBM, incluindo HBM4, HBM4E e HBM5.
Espera-se que o HBM4 seja lançado ainda este ano. As plataformas Vera Rubin da Nvidia e MI400 da AMD usarão HBM4, e espera-se que o HBM4E seja usado nos aceleradores Rubin Ultra e MI500.
No futuro, espera-se que o HBM5 e designs customizados sejam adotados pela série Feynman da NVIDIA e outras soluções.
Foi relatado anteriormente que a Samsung estava encurtando significativamente o ciclo de desenvolvimento da HBM e preparando novas soluções em uma velocidade sem precedentes. No entanto, o rápido desenvolvimento não significa que a produção em massa possa ser realizada diretamente. O ciclo de produção tornou-se agora o maior gargalo.
Ao mesmo tempo, a Samsung também está a aumentar a sua capacidade de produção. Investiu recursos adicionais na construção de uma fábrica de chips de grande escala em Onyang, na Coreia do Sul, com área equivalente a quatro campos de futebol. É especialmente usado para produzir produtos DRAM de próxima geração, incluindo HBM. A fábrica será responsável por aspectos-chave como embalagem, testes, logística e controle de qualidade.
O antigo rival da Samsung, SK Hynix, concluiu a pesquisa e o desenvolvimento da tecnologia DRAM D1d e garantiu o rendimento.
Ambas as partes estão atualmente competindo por grandes encomendas de empresas líderes de IA. Quem conseguir tornar o planejamento da HBM mais flexível e alcançar P&D e produção contínuas, ao mesmo tempo em que garante rendimento e retorno estável do investimento, rirá por último.
