Samsung monta laboratório nos Estados Unidos para desenvolver DRAM 3D de próxima geração

De acordo com especialistas do setor, a Samsung Electronics, maior fabricante mundial de chips de memória, montou um novo laboratório de pesquisa nos Estados Unidos para desenvolver uma nova geração de 3DDRAM. O laboratório é afiliado à Device Solutions America (DSA), que tem sede no Vale do Silício e é responsável pela produção de semicondutores da Samsung nos Estados Unidos. Será dedicada ao desenvolvimento de modelos DRAM atualizados para permitir à Samsung liderar o mercado global de chips de memória 3D.

Em outubro do ano passado, a Samsung Electronics revelou que estava preparando uma nova estrutura 3D para DRAM abaixo de 10 nanômetros, permitindo maior capacidade de chip único que pode ultrapassar 100 gigabits.

A Samsung Electronics comercializou com sucesso memória flash NAND vertical 3D pela primeira vez na indústria em 2013.