A Samsung anunciou que entregou amostras de sua memória HBM4 de nova geração para clientes globais e espera atingir a produção em massa em 2026. A Samsung confirmou em seu recém-anunciado relatório de desempenho do terceiro trimestre de 2025 que o HBM3E já entrou em produção em massa e foi vendido a clientes relevantes, enquanto amostras de HBM4 também foram enviadas para clientes importantes simultaneamente. A Samsung disse que seu negócio de armazenamento ainda apresenta um forte desempenho e que a demanda do mercado por produtos de memória avançados é forte.
Além disso, a Samsung também revelou que seu negócio de fundição de wafer estará comprometido em fornecer de forma estável novos produtos GAA de 2 nanômetros e chips básicos HBM4 em 2026, e planeja colocar sua nova fábrica em Tyler, Texas, em operação a tempo.
A pilha HBM consiste em até 12 camadas de chips DRAM empilhados conectados por vias de silício (TSVs), com chips de base incorporados opcionais que fornecem lógica personalizada ou circuitos de aceleração para atender a necessidades especiais. Normalmente, grandes clientes como NVIDIA e AMD exigem funções personalizadas devido aos grandes volumes de compras. Embora esses chips não tenham necessariamente capacidades de computação poderosas, os chips lógicos e de processamento de dados podem melhorar a eficiência da transmissão de pacotes, reduzir a latência e melhorar o desempenho do estágio de inferência, melhorando significativamente o rendimento.
Segundo relatos, ainda não está claro se o Samsung HBM4 irá além do padrão JEDEC para atender às necessidades de empresas como a NVIDIA. Por exemplo, a Micron ignorou a especificação JEDEC e aumentou a largura de banda do HBM4 do padrão 2 TB/s e 8 Gb/s por pino para 11 Gb/s, aumentando a largura de banda total para 2,8 TB/s, o que é 40% maior que o padrão. Portanto, espera-se que a Samsung continue a otimizar o seu HBM4 para manter a competitividade do mercado em aspectos como largura de banda e melhor atender às necessidades dos grandes clientes.