A SanDisk anunciou oficialmente hoje que começou a entregar aos clientes amostras de teste de seu produto de tecnologia de memória flash 3D NAND de 10ª geração - chip de memória flash TLC BiCS10 1Tb (Terabit, 128GB). Este novo chip alcançou um salto qualitativo em densidade de armazenamento, velocidade de transmissão e eficiência de consumo de energia, com o objetivo de atender plenamente às necessidades urgentes da computação moderna para armazenamento em grande escala e alta eficiência.
De acordo com os detalhes técnicos divulgados oficialmente pela SanDisk, o chip BiCS10 alcançou com sucesso uma densidade de armazenamento TLC líder do setor de mais de 29 Gb/mm², aumentando significativamente o número de camadas de empilhamento de memória flash para 332 camadas e combinando-o com tecnologia avançada de escala lateral. Em comparação com a memória flash 3D de 8ª geração (BiCS8) atualmente em produção em massa como a principal força do mercado, a densidade de bits do novo BiCS10 aumentou 59%. Em termos de desempenho, graças à introdução abrangente do barramento de interface Toggle DDR 6.0, protocolo SCA e tecnologia PI-LTT, a taxa de transmissão da interface do BiCS10 disparou para surpreendentes 4,8 Gb/s, alcançando um salto de desempenho de 33% em comparação com a geração anterior.
Além dos avanços duplos em desempenho e densidade, o desempenho do BiCS10 em eficiência energética também é excelente. O chip continua a usar a tecnologia de arquitetura CBA (CMOS diretamente ligada ao Array, CMOS diretamente ligada ao wafer array) comprovada pelo mercado. Esse processo de ponta maximiza o desempenho elétrico fabricando circuitos lógicos CMOS e matrizes de memória flash em wafers separados e, em seguida, unindo-os usando tecnologia de alinhamento de wafer de alta precisão. Com o suporte desta tecnologia, a eficiência energética de entrada e saída de dados do chip BiCS10 TLC foi significativamente otimizada. Comparado com a geração BiCS8, o consumo de energia de entrada foi reduzido em 10% e o consumo de energia de saída caiu significativamente em 34%. Isto é crucial para data centers modernos e infraestruturas de nível empresarial que desejam reduzir os custos operacionais e a pressão de dissipação de calor.
Alper Ilkbahar, diretor de tecnologia da SanDisk, disse à mídia do setor na conferência de imprensa que, à medida que o mundo de hoje se torna cada vez mais conectado, com uso intensivo de dados e cada vez mais inteligente, a tecnologia de memória flash NAND está desempenhando um papel fundamental cada vez mais crítico no suporte à escala do poder da computação moderna. Ele enfatizou que o BiCS8 anterior estabeleceu uma nova referência para a indústria ao combinar capacidades de ligação de wafer com ganhos reais em densidade e eficiência energética; e o atual BiCS10 TLC baseia-se nesta base sólida para oferecer aos clientes taxas de interface mais rápidas, maior densidade de bits e melhor desempenho de consumo de energia, o que demonstra claramente a força inovadora da SanDisk no roteiro tecnológico de longo prazo para memória flash 3D.