Resumo:
De acordo com diversas instituições de pesquisa do setor e fontes da cadeia de suprimentos, a Changxin Memory (CXMT), principal empresa local de fabricação de DRAM da China, está atualmente se preparando ativamente para entrar no campo de fabricação de memória flash NAND (NAND Flash). Esta potencial expansão estratégica marca que a Changxin Memory está se esforçando para se transformar de um único fornecedor de chips DRAM em um gigante de chips de memória de categoria completa. Não só enriquecerá ainda mais a sua linha de produtos, mas também deverá remodelar o cenário competitivo do mercado global de semicondutores de armazenamento.
Por muito tempo, a Changxin Memory tem se concentrado na pesquisa, desenvolvimento e produção em massa de chips DRAM de alta densidade e módulos de memória relacionados, e alcançou avanços tecnológicos significativos e aumentos de participação de mercado nos mercados de memória móvel e de servidor. Com o crescimento explosivo da inteligência artificial global, big data e a demanda da computação em nuvem por diversas arquiteturas de armazenamento, a Changxin Memory Evaluation expandiu sua experiência na fabricação de semicondutores e otimização de processos para o campo da memória flash NAND, com o objetivo de criar um sistema completo e independente de cadeia de suprimentos cobrindo armazenamento temporário e armazenamento de longo prazo.
Atualmente, o mercado global de memória flash NAND é monopolizado principalmente por vários gigantes internacionais, como Samsung Electronics, SK Hynix, Micron Technology, Kioxia e Western Digital. No entanto, a capacidade de produção das empresas locais chinesas no campo NAND ainda está concentrada principalmente na Yangtze Memory Technology (YMTC). Analistas da indústria apontaram que se a Changxin Memory colocar oficialmente em produção a memória flash NAND, ela formará efeitos complementares e sinérgicos com a Yangtze Memory na linha de produtos e acelerará a integração profunda da indústria local de chips de memória em termos de independência tecnológica e escala de capacidade de produção.
Embora ampliar o alcance de seus negócios no campo da memória flash NAND exija o enfrentamento de vários desafios, como gastos de capital extremamente elevados para novas linhas de produção, desafios técnicos em processos de empilhamento de alto nível e barreiras de patentes, a experiência acumulada em engenharia da Changxin Memory em P&D de processos avançados e gerenciamento de operações de fábrica estabeleceu uma base sólida para sua expansão horizontal. A cadeia de abastecimento revelou que a Changxin Storage está a realizar uma avaliação de viabilidade de engenharia das suas fábricas existentes e da nova capacidade de produção, e o recrutamento de equipas de I&D relevantes e a investigação preliminar sobre a aquisição de equipamentos também estão a progredir de forma ordenada.
Com o desenvolvimento da economia de energia computacional, a demanda do mercado por unidades de estado sólido (SSDs) de alto desempenho e novas memórias não voláteis continuará forte. O movimento estratégico da Changxin Memory para entrar no mercado de memória flash NAND através das fronteiras não só ajudará a melhorar sua própria escala abrangente de receita e resistência ao risco, mas também fornecerá aos compradores globais de chips de memória opções mais competitivas e diversificadas.
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