Resumo:
A Micron planeja dobrar sua capacidade de produção de memória de alta largura de banda (HBM) em comparação com o ano passado. A empresa promoverá investimentos radicais em equipamentos antes do final do ano para fortalecer a capacidade de fornecimento da nova geração de produtos HBM - HBM4 de 12 camadas. Esta medida destina-se a compensar as deficiências da HBM em termos de capacidade de produção em comparação com a Samsung Electronics e a SK Hynix e a aumentar a quota de mercado.
De acordo com notícias do setor no dia 3, a Micron planeja aumentar a capacidade de produção da HBM (com base em wafers) em até 60.000 peças por mês até o final deste ano. A produção mensal de HBM da Micron no ano passado permaneceu em 4-50.000 peças, e o aumento líquido deste ano excederá a capacidade de produção original do ano passado.
Um membro da indústria familiarizado com o negócio relevante disse: "A Micron está fazendo investimentos em equipamentos de grande escala para aumentar rapidamente a capacidade de produção de HBM4. Até o final deste ano, alcançará uma capacidade de produção de HBM de aproximadamente 100.000 peças por mês."
Para atingir as metas de capacidade de produção mencionadas acima, a Micron está aumentando os pedidos de compra (PO) para vários fabricantes de equipamentos de fabricação de HBM. Entende-se que os equipamentos da base de produção HBM da Micron continuam a entrar no mercado.
Espera-se que a proporção da produção de 12 camadas do HBM4 aumente significativamente. Atualmente, a maior parte da produção HBM da Micron é HBM3E de 12 camadas. No início deste ano, o HBM4 de 12 camadas representava apenas 20% a 30% da produção total. É relatado que essa proporção aumentará para até 50% até o final do ano.
A camada HBM412 será instalada em Vera Rubin da Nvidia, empresa líder mundial em chips de IA. A Micron iniciou a produção em massa do HBM4 de 12 camadas no segundo trimestre deste ano.
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