Resumo:
A Reuters citou "The Information" ao informar em 6 de novembro que a TSMC está considerando se aventurar na fabricação de memória avançada e planeja pesquisar e produzir DRAM 3D. Segundo duas pessoas familiarizadas com o assunto, o plano foi lançado após a Nvidia ter feito um pedido, e o objetivo é dar à TSMC uma participação maior na cadeia de fornecimento de hardware de inteligência artificial. O relatório também afirmou que o trabalho relevante é liderado por Xu Guojin, vice-gerente geral responsável pelos negócios de embalagens avançadas.
Os rumores dos planos incluem construir uma nova fábrica de chips de memória ou adquirir uma fábrica existente e transformá-la em uma linha de produção de memória; não há um cronograma claro para o início da produção. A DRAM 3D empilha células de memória verticalmente para aumentar a capacidade de armazenamento por unidade de área, ao contrário da DRAM atual, que fabrica principalmente células de memória em uma estrutura plana. Se implementada, a TSMC entrará num mercado que há muito é dominado pela Samsung, SK Hynix e Micron.
No entanto, a TSMC disse mais tarde ao Tom’s Hardware que a empresa sempre se concentrou na fundição profissional de circuitos integrados e que seu objetivo de longo prazo é fornecer tecnologia e capacidade de produção para a indústria global de chips lógicos. A resposta negou efetivamente os planos de fabricação de memória relatados; nem a TSMC nem a Nvidia comentaram imediatamente quando questionadas pela Reuters.
Rumores relacionados surgem à medida que a demanda por data centers de inteligência artificial aumenta a demanda e os preços de chips de memória, e as empresas de design de chips estão procurando mais fontes de fornecimento. Embora a TSMC atualmente forneça aos clientes embalagens avançadas e outros serviços, fabricar DRAM por si só significará entrar em um novo campo de negócios; nesta fase, não há provas públicas de que a empresa tenha decidido investir ou promover a produção em massa de DRAM 3D.
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