Resumo:
Durante o SEMICON Taiwan 2026, realizado em Taipei, a Samsung anunciou seu mais recente roteiro de produtos de memória, com foco no HBM5 e na nova arquitetura zHBM. A Samsung disse que o HBM5 pretende atingir aproximadamente o dobro do desempenho geral em comparação com o HBM4E, ao mesmo tempo que aumenta o desempenho do consumo de energia da unidade em 20% e reduz a resistência térmica em 20%.
O HBM5 usará o processo de 2 nm desenvolvido pela própria Samsung para fabricar a matriz básica, substituindo o processo de 4 nm usado pelo HBM4 e HBM4E. O número de camadas de empilhamento de produtos também será ampliado para 12, 16 e 20 camadas, e espera-se que entre em produção em massa por volta de 2028.
A Samsung também confirmou recentemente nos materiais de pré-visualização da conferência Hot Chips 2026 que a empresa está se preparando para lançar o HBM4E, com velocidade alvo de 16 Gbps por pino. O HBM4 atualmente vendido pela Samsung tem uma velocidade de 11,7 Gbps por pino.
Em comparação com o design tradicional da HBM que coloca a memória próxima ao acelerador, o zHBM adota um método de integração vertical mais radical, empilhando a memória diretamente sobre o processador, encurtando assim o caminho de transmissão de dados e melhorando a largura de banda e a eficiência energética. A Samsung prevê que o desempenho bruto do zHBM atingirá 8 vezes o do HBM4E, e o desempenho do consumo de energia da unidade atingirá 3 vezes, ao mesmo tempo que reduz a resistência térmica em 75% a 90%.
A Samsung demonstrou os primeiros produtos conceituais zHBM da indústria na FMS 2026, e esta nova arquitetura deverá ser lançada após 2029. O redesenho da arquitetura HBM parece ter se tornado a direção de desenvolvimento da indústria. A NVIDIA também anunciou recentemente uma solução de memória NVHBM personalizada, que transfere o controlador de memória do chip de computação para o chip básico HBM.
No campo NAND, a Samsung está desenvolvendo o zNAND-O para entrega de amostras em 2028. O produto visa atingir 10 vezes a densidade de bits equivalente à DRAM, ao mesmo tempo que fornece aproximadamente 7 vezes a largura de banda de leitura, mantendo a eficiência energética da NAND tradicional.
A concorrência enfrentada pela Samsung também está se intensificando. Além da SK Hynix, o fabricante chinês de armazenamento Yangtze Memory também apresentou recentemente metas ambiciosas, planejando superar a Samsung e a SK Hynix até o final de 2027.
No Memory Executive Summit realizado antes do evento, a Samsung também apresentou uma estrutura de desenvolvimento de memória chamada "C.U.B.E", que significa capacidade, utilização, largura de banda e eficiência. A estratégia inclui aumentar a capacidade sem aumentar a área ocupada pelo PCB, expandindo verticalmente a capacidade de memória; usando arquitetura 3D otimizada para reduzir a latência; utilização de canais verticais de alta velocidade para substituir os caminhos de dados horizontais tradicionais; e melhorar o controle do consumo de energia e o gerenciamento da dissipação de calor no nível dos bits.
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