A nova fábrica do Yangtze Memory Plan responderá por até 70% dos equipamentos domésticos, impactando mais de 300 camadas de memória flash NAND

📅 2026-11-06

Resumo:

A YMTC, maior fabricante de memória flash NAND da China, está aumentando ainda mais a proporção de equipamentos de produção de semicondutores localizados. A Reuters informou em 6 de novembro, citando duas pessoas familiarizadas com o assunto, que a Yangtze Memory planeja aumentar a proporção de aquisição de equipamentos domésticos para pelo menos 60% na quarta fábrica de wafers construída em Wuhan, com a meta de atingir até 70%. Isto será significativamente superior à participação atual de equipamentos nacionais de pouco mais de 50% na terceira fábrica da empresa.

Este plano não apenas reflete a aceleração do processo de localização da própria cadeia de suprimentos da Yangtze Memory, mas também significa que as empresas chinesas de equipamentos de semicondutores deverão obter mais oportunidades para entrar em linhas avançadas de produção de chips de memória.

De acordo com pessoas familiarizadas com o assunto, a quarta fábrica da Yangtze Memory deverá iniciar a construção em 2027, e o local ainda é em Wuhan, onde a empresa está sediada. Atualmente, a empresa lançou discussões preliminares com alguns fornecedores nacionais de equipamentos, mas ainda não emitiu formalmente pedidos de compra de equipamentos. Portanto, a proporção de equipamentos nacionais e o progresso da construção ainda podem mudar.

O posicionamento tecnológico desta nova fábrica é bastante claro: produzir chips avançados de memória flash NAND com mais de 300 camadas empilhadas verticalmente. À medida que as células de memória continuam a aumentar na direção vertical, mais dados de armazenamento podem ser acomodados por unidade de área do chip, aumentando assim a densidade de armazenamento. Esses produtos NAND de alta capacidade são particularmente importantes para data centers, servidores de inteligência artificial e dispositivos de armazenamento de classe empresarial.

A Yangtze Memory planeja concentrar a produção de sua quarta fábrica em chips de memória necessários para data centers e aplicações de inteligência artificial. À medida que a escala dos modelos de IA continua a se expandir, os dados de treinamento, os parâmetros do modelo e os dados gerados durante o processo de inferência exigem um grande número de dispositivos de armazenamento de alta velocidade e grande capacidade, e a importância da memória flash NAND de nível empresarial também aumentou.

Se a quarta fábrica finalmente atingir a produção em massa de mais de 300 camadas de NAND, a competitividade tecnológica da Yangtze Memory no mercado chinês será ainda mais reforçada. A Reuters destacou que este objectivo pode até permitir-lhe ter mais camadas de tecnologia de produção na China do que alguns concorrentes estrangeiros.

Para efeito de comparação, a Samsung Electronics está mudando sua fábrica em Xi'an para produzir memória flash NAND de 286 camadas, enquanto a SK Hynix planeja atualizar sua fábrica em Dalian para mais de 240 camadas, um aumento em relação às 192 camadas anteriores. À medida que os controlos de exportação dos EUA restringem a entrada de alguns equipamentos avançados de fabrico de semicondutores na China, as duas empresas sul-coreanas também enfrentam restrições adicionais à expansão da produção em grande escala e às atualizações tecnológicas nas fábricas chinesas.

A posição atual da Yangtze Memory no mercado de memória flash NAND da China está melhorando rapidamente. Dados da organização de pesquisa de mercado Omdia mostram que, no segundo trimestre de 2026, a participação da Yangtze Memory no mercado NAND da China atingiu 38,5%, superior aos 28% em 2025, e ultrapassou a Samsung Electronics para se tornar o fabricante NAND com a maior participação de mercado na China.

A meta de localização de equipamentos da quarta fábrica também trará oportunidades importantes para os fabricantes chineses de equipamentos de semicondutores.

Fontes informadas disseram que se espera que os novos pedidos de equipamentos domésticos se concentrem principalmente em áreas de produção, como limpeza, polimento e gravação de wafers. Esses processos são etapas básicas indispensáveis ​​no processo de fabricação da memória flash NAND. Os fornecedores de equipamentos chineses acumularam muita experiência de aplicação nas linhas de produção existentes da Memória Yangtze.

Entre elas, a Northern Huachuang e a China Microelectronics são consideradas susceptíveis de beneficiar de novas encomendas. As duas empresas têm, respectivamente, um layout de produtos relativamente extenso na área de equipamentos de fabricação de semicondutores, especialmente nas áreas de gravação, deposição de filmes finos e equipamentos de processo relacionados, e continuam a promover pesquisa e desenvolvimento tecnológico.

Na verdade, a Yangtze Storage alcançou um alto grau de substituição de equipamentos domésticos em alguns elos de produção. Os fornecedores nacionais são atualmente capazes de fornecer a maior parte dos equipamentos de limpeza e polimento necessários para suas linhas de produção e fizeram progressos nos equipamentos de processo de estrutura vertical profunda necessários para fabricar chips NAND avançados.

No entanto, a localização não significa que a Yangtze Storage tenha se livrado completamente de sua dependência de equipamentos estrangeiros. Para algumas ligações de produção tecnicamente mais difíceis, as empresas ainda precisam de utilizar equipamentos avançados fornecidos por fornecedores estrangeiros, especialmente em fotolitografia, inspeção e outros processos de produção complexos.

Esses links envolvem limites técnicos extremamente altos. O equipamento não só precisa ter capacidade de processamento de precisão, mas também atender à estabilidade e ao rendimento necessários para a produção em massa de chips de memória avançados em larga escala. Mesmo que o equipamento nacional possa completar alguns processos, isso não significa que possa substituir imediatamente e completamente os produtos estrangeiros em todos os processos avançados.

EUA os controles de exportação são um importante fator impulsionador para que a Yangtze Storage acelere a substituição de equipamentos nacionais. O Departamento de Comércio dos EUA adicionou o Yangtze Storage à Lista de Entidades em dezembro de 2022, impondo requisitos de licenciamento aos fornecedores dos EUA que lhe vendem tecnologias e equipamentos específicos.

Ao mesmo tempo, as fábricas operadas pela Samsung e SK Hynix na China também são afetadas pelos controles de exportação dos EUA e exigem autorizações relevantes todos os anos para introduzir equipamentos semicondutores fabricados nos EUA nas fábricas chinesas. O governo dos EUA também já afirmou anteriormente que não pretende aprovar a exportação de equipamentos que permitam a estas empresas expandir significativamente a capacidade de produção ou realizar grandes atualizações tecnológicas na China.

Neste contexto, o aumento da proporção de equipamentos domésticos da Yangtze Storage não é apenas uma necessidade de independência da cadeia de abastecimento, mas também um acordo importante para garantir que as fábricas avançadas possam continuar a expandir a produção no futuro.

É importante notar que a quarta fábrica não representa todos os planos de expansão futura da Yangtze Memory. A Reuters informou anteriormente em abril deste ano que a empresa planejava construir mais duas fábricas em Wuhan, elevando o número total de fábricas para cinco.

De acordo com informações fornecidas por pessoas familiarizadas com o assunto, espera-se que a terceira, a quarta e a quinta fábricas sejam capazes de processar, cada uma, aproximadamente 100 mil pastilhas de silício por mês após serem totalmente colocadas em operação. As três fábricas combinadas darão à Yangtze Memory mais que o dobro de sua atual capacidade de produção.

Isso significa que a Yangtze Memory está avançando em duas rotas estratégicas ao mesmo tempo: por um lado, está expandindo a capacidade de produção de memória flash NAND através da construção de novas fábricas; por outro lado, está a reduzir o impacto das restrições tecnológicas estrangeiras na produção e expansão, aumentando a proporção da aquisição de equipamento nacional.

No entanto, a quarta fábrica ainda está em fase de planejamento e contato com fornecedores. O tempo real de produção em massa de mais de 300 camadas de NAND, a proporção de equipamentos localizados e o rendimento final da produção ainda não foram verificados posteriormente.

Do ponto de vista industrial, a importância deste plano vai além do próprio armazenamento do Rio Yangtze. No passado, as empresas chinesas de equipamentos de semicondutores expandiram sua participação de mercado principalmente em processos maduros e alguns links básicos de fabricação, enquanto a Yangtze Memory está tentando introduzir mais equipamentos nacionais em linhas de produção 3D NAND avançadas. Se esses dispositivos puderem operar de forma estável na produção em massa em grande escala, proporcionarão importantes oportunidades de verificação para que equipamentos semicondutores domésticos entrem em campos de aplicação com limites técnicos mais elevados.

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