Resumo:
A indústria de chips de memória da China está inaugurando uma nova fase de competição. A Changxin Memory (CXMT) e a Yangtze Memory Technology (YMTC), duas empresas líderes que estão profundamente envolvidas em diferentes mercados há muito tempo, estão acelerando sua entrada nas principais áreas de negócios uma da outra. Uma competição acirrada em torno dos dois principais mercados de DRAM e NAND está gradualmente se desenrolando.
Nos últimos anos, as duas empresas mantiveram uma divisão relativamente clara do trabalho no mercado. A Memória Changxin concentra-se principalmente em chips de memória DRAM, enquanto a Memória Yangtze se concentra em produtos de memória flash NAND. À medida que a onda de inteligência artificial remodela a cadeia de fornecimento global de semicondutores, esta fronteira comercial está a ser quebrada.
De acordo com fontes da cadeia industrial, a Yangtze Memory está se preparando para entrar no mercado DRAM. A nova linha de produção da empresa na terceira fase do projeto deverá iniciar a produção experimental no final de 2026, com foco inicial em produtos de memória LPDDR5 de baixo consumo de energia. Como uma etapa importante antes da produção em massa formal, a produção experimental é usada principalmente para depuração de equipamentos, otimização de processos e melhoria de rendimento.
De acordo com o plano atual, a capacidade inicial de produção de DRAM da Yangtze Memory deverá ser de aproximadamente 25.000 wafers por mês. Embora esta escala ainda esteja muito atrás de gigantes internacionais como Samsung, SK Hynix ou Micron, é uma mudança estratégica importante para a Yangtze Memory, que há muito se concentra nos negócios NAND.
Ao mesmo tempo, a Changxin Memory também está procurando oportunidades de expansão no campo NAND.
Fontes disseram que a Changxin Memory está planejando um novo projeto de P&D e produção experimental de NAND em Pequim e estabelecendo instituições de pesquisa relevantes para promover o desenvolvimento da tecnologia NAND. Alguns clientes potenciais já começaram a contatar a Changxin, incluindo start-ups que desejam usar seus produtos de memória flash para sistemas de inteligência artificial e soluções de armazenamento de supercomputadores.
Nos últimos anos, a procura por servidores de inteligência artificial aumentou, o que não só promoveu a prosperidade contínua dos mercados HBM e DRAM, mas também impulsionou o crescimento da procura de memória flash NAND. À medida que um grande número de tarefas de formação e inferência de modelos de IA geram enormes quantidades de dados, a procura por SSD e dispositivos de armazenamento de alta capacidade em centros de dados continua a aumentar, quebrando o equilíbrio entre a oferta e a procura do mercado de armazenamento tradicional.
Os dados da indústria mostram que, para atender às necessidades do mercado de IA, os principais fabricantes de armazenamento do mundo transferiram mais capacidade de produção para produtos DRAM e HBM de alto lucro, resultando em uma desaceleração no crescimento da oferta de NAND e, por sua vez, aumentando os preços de mercado. Neste contexto, a entrada no mercado NAND parece mais atraente para a Changxin.
No entanto, em comparação com a Yangtze Memory, que tem um cronograma mais claro para entrar no mercado DRAM, o plano NAND da Changxin ainda está em um estágio inicial. Não está claro quando ele entrará em produção em massa. A indústria prevê que as linhas de produção relevantes possam ser oficialmente colocadas em operação já entre 2028 e 2029.
Para ambas as empresas, além das questões técnicas, os direitos de propriedade intelectual também podem se tornar um foco importante da concorrência futura.
Indicadores do setor apontaram que, à medida que ambas as partes entram nas áreas tradicionais de força uma da outra, o layout de patentes, o licenciamento de tecnologia e a competição por talentos de engenharia podem se tornar novos pontos de atrito. Especialmente no contexto do rápido desenvolvimento da indústria de armazenamento da China, ambas as empresas precisam atrair um grande número de pessoal de P&D e produção com experiência relevante.
De acordo com relatos, Changxin está atualmente recrutando ativamente talentos técnicos e de engenharia que trabalharam na Yangtze Memory para acelerar o processo de pesquisa e desenvolvimento NAND. À medida que a Yangtze Memory avança no seu projecto DRAM, a concorrência entre as duas partes no mercado de recursos humanos poderá intensificar-se ainda mais no futuro.
Além disso, os controles de exportação dos EUA ainda afetarão o futuro caminho de desenvolvimento das empresas chinesas. Para Changxin, o campo NAND é particularmente dependente da tecnologia avançada de empilhamento 3D NAND e ainda é difícil obter equipamentos e tecnologia relacionados. Portanto, como realizar avanços tecnológicos sob condições restritas se tornará um fator importante para saber se o seu plano de expansão pode ser implementado.
Os analistas acreditam que Changxin e Yangtze Memory costumavam representar os dois principais campos DRAM e NAND da China, respectivamente, mas agora ambas as partes começaram a alargar os seus negócios a todas as categorias de armazenamento, o que significa que a indústria de armazenamento da China está a entrar numa nova fase de integração e concorrência.
No contexto do crescimento contínuo da demanda global por poder de computação de IA, tanto a DRAM quanto a NAND tornaram-se recursos estratégicos essenciais. À medida que os dois gigantes chineses do armazenamento avançam gradualmente para uma concorrência frontal, começa silenciosamente uma batalha pelos chips de memória em torno da tecnologia, capacidade de produção, talento e quota de mercado.
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