Resumo:
O fabricante chinês de chips de memória DRAM Changxin Memory (CXMT) anunciou que sua plataforma de tecnologia DRAM de quinta geração entrou oficialmente na fase de produção em massa. Este progresso é considerado um marco importante no desenvolvimento da indústria de armazenamento da China e também significa que a Changxin Storage está diminuindo ainda mais a lacuna tecnológica com fabricantes líderes globais, como Samsung Electronics, SK Hynix e Micron.
DRAM é a memória de trabalho central exigida por dispositivos eletrônicos como smartphones, computadores pessoais e servidores para executar aplicativos. Nos últimos anos, à medida que a inteligência artificial, a computação de alto desempenho e o desempenho dos terminais móveis continuam a melhorar, a procura do mercado global por produtos DRAM avançados continua a crescer.
De acordo com informações divulgadas pela Changxin Memory, o objetivo da plataforma tecnológica de quinta geração é criar produtos de memória com desempenho mais forte e maior capacidade, reduzindo ao mesmo tempo o consumo de energia e os custos de produção. A empresa afirmou que a nova plataforma fornecerá aos fabricantes de produtos eletrônicos de terminais mais fontes de fornecimento de chips de memória e aumentará a flexibilidade de fornecimento da cadeia da indústria.
Como maior fabricante de DRAM da China, a Changxin Memory se concentra em aumentar a densidade das células de memória desta vez. Ao reduzir ainda mais as pequenas estruturas responsáveis pelo armazenamento de dados e aumentar o nível de integração, a nova plataforma pode acomodar mais células de memória na mesma área e aumentar o número de chips que podem ser cortados de um único wafer, melhorando assim a eficiência geral da produção.
A Changxin Storage revelou que a nova plataforma reduziu o passo estrutural principal da matriz de armazenamento para 11,95 nanômetros, o que equivale a cerca de 12 bilionésimos de metro. Para atingir esse objetivo, a empresa utiliza um processo de padronização quádrupla, que rompe as limitações do processo tradicional, executando repetidamente múltiplas etapas de fabricação para formar estruturas de circuito mais refinadas.
Durante a Conferência Mundial de Manufatura de 2026, realizada em Hefei, Anhui, Luo Xiaodong, chefe do Changxin Storage Market Center, disse que as capacidades de processo da empresa atingiram o mesmo nível das plataformas de armazenamento produzidas em massa mais avançadas do mundo.
Com a produção em massa da nova plataforma, a Changxin Memory também lançou dois chips de memória móvel LPDDR5X de 24 Gb baseados na plataforma de quinta geração. LPDDR5X é um padrão DRAM de baixo consumo usado principalmente em dispositivos móveis, como smartphones e tablets.
A capacidade do novo produto é 50% superior à da geração anterior de produtos similares e entrou na fase de produção em massa. De acordo com as diferentes necessidades do produto final, os dois produtos fornecem diferentes formas de embalagem para serem adequados ao design de smartphones e diversos dispositivos eletrônicos portáteis.
Além de aumentar a capacidade de um único chip, a nova plataforma também melhora significativamente a eficiência de fabricação. A Changxin Memory afirmou que ao usar produtos de 8 Gb como referência de comparação, o número de chips que a plataforma de quinta geração pode produzir por wafer é pelo menos 50% maior do que a plataforma de quarta geração.
Este indicador não representa o rendimento final, mas refere-se ao número total de chips que podem, teoricamente, ser cortados de um único wafer antes que os chips defeituosos sejam eliminados. No entanto, para a indústria de memória, melhorar a utilização de wafers ainda é uma forma importante de reduzir custos e aumentar a competitividade.
A empresa também revelou que a tecnologia de simulação computacional foi amplamente utilizada no processo de desenvolvimento da plataforma de quinta geração, e o desenvolvimento conjunto foi realizado com fabricantes locais chineses de equipamentos de semicondutores nos principais elos de fabricação. A cooperação relevante ajudou a Changxin Storage a estabelecer gradualmente um sistema de cadeia de abastecimento nacional mais completo e a reduzir a sua dependência de tecnologia externa.
Este desenvolvimento tecnológico também ocorre num momento em que a concorrência na indústria global de armazenamento continua a intensificar-se. Com a rápida expansão da indústria de inteligência artificial, a demanda por memória de alto desempenho explodiu e os principais fabricantes globais de armazenamento aumentaram o investimento em produtos avançados de DRAM e HBM.
Para a China, a entrada em produção em massa da plataforma de quinta geração da Changxin Storage não significa apenas uma melhoria adicional nas capacidades técnicas, mas também representa que a indústria de armazenamento local continua a avançar para nós de processos mais avançados. No futuro, à medida que os produtos de armazenamento móvel de nova geração entram gradualmente no mercado, espera-se que a concorrência entre a Changxin Storage e os principais fabricantes internacionais se intensifique ainda mais.
Tendo como pano de fundo o cenário em constante mudança da indústria de armazenamento global, a produção em massa oficial da plataforma DRAM de quinta geração é considerada outro nó importante no desenvolvimento da memória Changxin. Também acrescenta uma nova alavancagem à indústria de semicondutores da China para melhorar as suas capacidades de fornecimento independente.
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