Resumo:
O fabricante chinês de chips de memória Changxin Memory (CXMT) está acelerando seu layout de tecnologia DRAM de próxima geração e planeja lançar produtos de memória de servidor DDR5 RDIMM usando arquitetura de célula de memória 4F² antes do final deste ano. Fontes da indústria dizem que se os planos relevantes forem implementados com sucesso, o progresso da comercialização da Changxin Storage nesta rota tecnológica chave pode estar cerca de dois anos à frente da Samsung Electronics, que tem atraído grande atenção na indústria global de armazenamento.
O relatório afirma que a arquitetura de células de memória 4F² é considerada um importante nó tecnológico no processo de redução de DRAM. As células de memória DRAM tradicionais geralmente ocupam uma área de silício maior, enquanto o design 4F² acomoda mais células de memória na mesma área do wafer, comprimindo ainda mais o tamanho da célula, aumentando assim a capacidade do chip e reduzindo os custos de armazenamento unitário. À medida que o processo de fabricação continua se aproximando dos limites físicos, como continuar a melhorar a densidade de armazenamento tornou-se um desafio central enfrentado pelos fabricantes de DRAM.
Há muito tempo, os principais fabricantes globais de memória, incluindo Samsung, SK Hynix e Micron, vêm estudando a próxima geração de arquitetura DRAM de alta densidade. No entanto, a comercialização em larga escala progrediu de forma relativamente lenta devido a dificuldades extremamente elevadas na complexidade do projeto, nos processos de fabricação e no controle de rendimento.
As últimas notícias mostram que a Changxin Storage está planejando assumir a liderança na introdução da arquitetura 4F² em produtos DDR5 RDIMM. RDIMM é um módulo de memória duplo em linha registrado. É direcionado principalmente aos mercados de servidores e data centers e é amplamente utilizado em treinamento de inteligência artificial, computação de alto desempenho e infraestrutura de computação em nuvem.
A indústria acredita que se a Changxin Memory puder concluir o lançamento de produtos conforme planejado e alcançar uma produção em massa estável, isso significará que ela não apenas continuará a expandir sua capacidade de produção, mas também fará avanços no campo da inovação da arquitetura DRAM central. Para o mercado de servidores, maior densidade de armazenamento significa a capacidade de implantar memória de maior capacidade sob as mesmas condições de espaço e consumo de energia, o que é particularmente atraente para data centers de IA.
O relatório apontou que o atual cronograma de produção em massa da Samsung em rotas tecnológicas semelhantes ainda deverá levar vários anos. Se este julgamento estiver correto, a Changxin Storage poderá ganhar cerca de dois anos de vantagem no tempo na comercialização de produtos relacionados à arquitetura 4F². No entanto, uma vez que os projectos relevantes ainda estão em fase de avanço, o progresso final da produção em massa, o desempenho do produto e os níveis reais de rendimento ainda precisam de ser verificados mais detalhadamente.
Nos últimos anos, com o rápido desenvolvimento da inteligência artificial generativa e de modelos de linguagem em grande escala, a procura por memória de alta capacidade e largura de banda em centros de dados globais continua a aumentar. Além da memória de alta largura de banda HBM atrair muita atenção, o mercado tradicional de memória de servidor DDR5 também está inaugurando uma nova rodada de ciclos de atualização. Para os fabricantes de armazenamento, quem conseguir assumir a liderança na inovação da tecnologia DRAM de maior densidade terá a oportunidade de ocupar uma posição favorável na próxima fase da competição de mercado.
Os analistas acreditam que a promoção de produtos DDR5 RDIMM de arquitetura 4F² da Changxin Memory não está apenas relacionada ao lançamento de um único produto, mas também é considerada um sinal importante para a indústria de armazenamento da China avançar em direção a nós de tecnologia DRAM mais avançados. Se o projeto for implementado com sucesso, espera-se que aumente a sua competitividade no mercado global de memória para servidores e reduza ainda mais a lacuna tecnológica com os principais fabricantes internacionais.
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