Resumo:
A Changxin Technology declarou na reunião de troca de desempenho do terceiro trimestre que, com base no avanço importante da arquitetura DRAM de canal vertical 4F², a plataforma de tecnologia de processo de sexta geração concluiu a verificação de amostras de engenharia. Esta é a primeira vez que Changxin anuncia que a plataforma de tecnologia de processo de sexta geração é baseada na arquitetura 4F².
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De acordo com a prática da indústria, a conclusão da verificação da amostra de engenharia significa que os principais indicadores de desempenho da plataforma atingiram as expectativas de projeto em wafers reais e ela pode entrar no estágio de produção em massa após o cliente concluir a verificação. Changxin afirmou anteriormente em discurso público que espera lançar uma nova geração de produtos DDR5 RDIMM integrando tecnologia avançada 4F² até o final do ano para a área de servidores, uma das áreas mais difíceis de aplicar.
Em termos de progresso divulgado publicamente, Changxin está na vanguarda mundial na promoção da engenharia 4F²: Samsung e SK Hynix listaram 4F² como uma direção chave abaixo do nível de 10 nm, e Changxin assumiu a liderança na conclusão da verificação de amostras de engenharia; se o progresso subsequente ocorrer sem problemas, espera-se que a Changxin se torne a primeira empresa do mundo a implementar o 4F².
4F² é considerado um caminho chave para quebrar o gargalo de contração das células DRAM e avançar em direção à DRAM 3D. A evolução da tecnologia DRAM sempre girou em torno de melhorias de densidade – integrando mais unidades no wafer do mesmo tamanho para distribuir o custo por bit. Mas depois de entrar no nível de 10nm, o 6F² original tornou-se insustentável e está se aproximando do limite físico. O IEEE International Devices and Systems Roadmap (IRDS) afirma claramente que quando o escalonamento de meio passo se torna cada vez mais difícil, “a transição das unidades 6F² para 4F² é o caminho mais promissor para manter as tendências de custos”.
A área da unidade 4F² é 2F×2F (F é a largura de linha ou espaçamento mínimo alcançável pela tecnologia de fotolitografia), que é cerca de dois terços da unidade 6F² convencional. Tornou-se uma escolha comum dos principais fabricantes de armazenamento em todo o mundo. A SK Hynix listou a plataforma 4F² vertical gate (VG) e 3D DRAM como dois pilares técnicos principais. A Samsung publicou um artigo 4F² de 10nm no ISSCC 2026, e seu CTO confirmou publicamente em outubro deste ano que também está desenvolvendo; a indústria também considera o 4F² um estágio necessário para a DRAM 3D.
O núcleo da arquitetura 4F² da Changxin é o transistor VSG (Vertical Surrounding Gate) desenvolvido pela própria empresa. Sua estrutura de canal circundante vertical possui controle de portão mais forte, o que pode aliviar efeitos de canal curto e vazamento. No nível arquitetônico, esta solução desacopla os processos de fabricação de DRAM e CMOS e, em seguida, realiza interconexão de alta velocidade por meio de ligação híbrida em nível de wafer, para que o desempenho lógico, a densidade de armazenamento e a confiabilidade possam ser otimizados separadamente.
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