Resumo:
A indústria de chips de memória da China está diminuindo a lacuna tecnológica com os principais fabricantes do mundo a uma velocidade sem precedentes. De acordo com a última avaliação da Associação da Indústria de Semicondutores da Coreia, as duas principais empresas de memória da China, a Yangtze River Memory (YMTC) e a Changxin Memory (CXMT), alcançaram uma recuperação significativa nas principais áreas tecnológicas. Entre eles, a lacuna tecnológica no campo da memória flash NAND diminuiu para cerca de 1 ano, o campo DRAM é de cerca de 2 anos e a lacuna no campo da memória de alta largura de banda (HBM) é de cerca de 3 anos.
O resultado desta avaliação atraiu ampla atenção na indústria coreana de semicondutores. É importante notar que apenas alguns anos atrás, a indústria geralmente acreditava que ainda havia um fosso de geração tecnológica de quase 5 anos entre a indústria de memória da China e o nível avançado internacional. Hoje, esta lacuna foi significativamente comprimida em vários segmentos, mostrando que a velocidade de desenvolvimento da indústria de armazenamento da China nos últimos anos excedeu em muito as expectativas do mercado.
No campo da memória flash NAND, considera-se que a Memória Yangtze fez o progresso mais óbvio. Como maior fabricante de NAND na China, a empresa continuou a promover a pesquisa e o desenvolvimento de tecnologia NAND 3D digital de alto nível nos últimos anos. Dados da indústria mostram que quando a Samsung Electronics e a SK Hynix iniciarem a produção em massa de produtos NAND de 300 camadas em 2025, a Yangtze Memory já terá capacidade de produção de produtos de 270 camadas. De acordo com a rota de desenvolvimento atual, espera-se que a Yangtze Memory promova produtos NAND de nível 400 em 2027, o que significa que o intervalo de tempo entre ela e as empresas líderes internacionais será ainda mais reduzido para cerca de um ano.
O desenvolvimento no campo DRAM também está atraindo atenção. As empresas coreanas Samsung Electronics e SK Hynix iniciarão a produção em massa de produtos DDR5 em 2023, enquanto a Changxin Memory entrará na era DDR5 em 2025, por isso considera-se que mantém uma lacuna tecnológica de cerca de dois anos com o nível de liderança internacional. No entanto, a Changxin Memory acelerou significativamente a iteração de seu produto nos últimos anos. Não só conseguiu a produção em massa de LPDDR5X, como também começou a promover a produção de produtos LPDDR6 para aumentar ainda mais a sua competitividade no mercado.
Em comparação com NAND e DRAM tradicional, a memória de alta largura de banda da HBM ainda é considerada o campo técnico mais desafiador na indústria de armazenamento da China. As avaliações atuais da indústria acreditam que ainda existe uma lacuna de cerca de 3 anos entre a tecnologia HBM da China e o nível de liderança internacional. Embora a Changxin Memory tenha iniciado a produção experimental de produtos HBM3E, a taxa de rendimento ainda está em um nível baixo, especialmente em links de fabricação essenciais, como TSV através de silício por meio de interconexões verticais, que ainda enfrentam desafios técnicos óbvios.
Para acelerar a pesquisa e o desenvolvimento da HBM, as empresas chinesas de armazenamento estão tentando rotas tecnológicas mais inovadoras. O relatório apontou que a Changxin Storage está cooperando com a Yangtze Storage para construir produtos HBM usando a tecnologia madura de ligação híbrida Xtacking da Yangtze Storage. Diferente do método tradicional de conexão de chips de memória por meio de micro-saliências, esta tecnologia de ligação híbrida cobre-cobre pode conectar diretamente diferentes camadas de wafer, encurtar o caminho do circuito, melhorar a eficiência de empilhamento e espera-se que reduza a dependência de equipamentos avançados de litografia EUV até certo ponto.
Os analistas acreditam que o progresso alcançado pelas empresas de armazenamento chinesas nos últimos anos não se reflete apenas na fase de verificação da tecnologia laboratorial, mas também na produção em massa de produtos e na capacidade de industrialização. Com a expansão da capacidade de produção, a acumulação de talentos e a melhoria gradual do sistema de suporte de equipamentos locais, a indústria de armazenamento da China está gradualmente a transformar-se de um mero apanhador no passado para um importante interveniente no mercado com competitividade internacional.
Para a indústria de armazenamento coreana, esta mudança também é de grande importância. A Samsung Electronics e a SK Hynix ocupam há muito tempo uma posição de liderança no mercado global de armazenamento, mas à medida que as empresas chinesas continuam a diminuir a diferença, espera-se que a concorrência no mercado se intensifique ainda mais no futuro.
Embora as empresas chinesas ainda estejam atrás dos fabricantes líderes internacionais em termos de produtos avançados da HBM e alguns processos de ponta, os observadores da indústria geralmente acreditam que a Memória Yangtze e a Memória Changxin se recuperaram mais rápido do que muitas pessoas esperavam nos últimos anos. Se a atual tendência de desenvolvimento continuar, o cenário global da indústria de armazenamento poderá dar início a novas mudanças nos próximos anos.
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