Resumo:
O maior fabricante de chips de memória DRAM da China, Changxin Memory (CXMT), enfrenta pressão de crescimento de participação de mercado no terceiro trimestre de 2026. À medida que a Samsung Electronics expande ainda mais sua capacidade de produção de chips de memória e o mercado global de armazenamento se inclina gradualmente para a memória de alta largura de banda (HBM), a participação de mercado de DRAM da CX Memory caiu de 10% no segundo trimestre para 9%. No entanto, em comparação com o mesmo período do ano passado, a sua quota de mercado ainda aumentou 4 pontos percentuais, mostrando que a empresa ainda se encontra em fase de rápida expansão.
Esses dados são provenientes da empresa de pesquisa de mercado Counterpoint Research. De acordo com o seu último relatório, o cenário competitivo do mercado global de DRAM mudou significativamente no terceiro trimestre de 2026: a Samsung Electronics reexpandiu a sua liderança com uma participação nas receitas de 38%, a SK Hynix representou 29% e a Changxin Memory representou 9%.
Em comparação com o segundo trimestre, a participação de mercado da Samsung aumentou 5 pontos percentuais, enquanto a SK Hynix caiu 4 pontos percentuais. O armazenamento Changxin caiu ligeiramente de 10% para 9%.
Essa mudança está relacionada ao ajuste estrutural que está ocorrendo no mercado global de memória. A construção de infra-estruturas de inteligência artificial continua a impulsionar o crescimento da procura de HBM, e grandes fabricantes como Samsung e SK Hynix estão a ajustar activamente os recursos de produção para satisfazer as necessidades da nova geração de memória de alta largura de banda. Ao mesmo tempo, os preços dos produtos DRAM tradicionais também estão a aumentar rapidamente, fazendo com que o desempenho das receitas de cada fabricante já não dependa inteiramente dos envios reais.
Os dados da Counterpoint mostram que, no terceiro trimestre de 2026, a receita global da indústria DRAM aumentou quase cinco vezes em relação ao ano anterior, mas as remessas de bits DRAM aumentaram apenas cerca de 4%. Isto significa que o principal factor que impulsiona o forte crescimento das receitas do mercado não é o aumento das remessas, mas o forte aumento do preço médio de venda dos chips de memória.
O relatório mostra que o preço médio de venda de DRAM atingiu US$ 1,9 por gigabit no terceiro trimestre. Num contexto de oferta relativamente limitada e de crescimento contínuo da procura de servidores de inteligência artificial, o aumento dos preços dos chips de memória está a alterar significativamente a estrutura de receitas da indústria.
A Changxin Storage já havia mostrado um impulso de crescimento muito forte. A Counterpoint destacou em seu relatório do segundo trimestre que a receita trimestral da empresa aumentou 716% ano a ano, tornando-a um dos fabricantes de DRAM de crescimento mais rápido no mundo. Sua participação na receita global de DRAM atingiu 7% na época, enquanto a participação de mercado da Samsung em agosto de 2026 era de aproximadamente 39%.
A demanda por DRAM doméstica por parte de empresas chinesas locais é uma importante força motriz para o rápido crescimento da Memória Changxin. À medida que os fabricantes chineses de servidores, computadores pessoais e smartphones aumentam as compras nacionais de memória, a Changxin Storage ganha mais oportunidades de mercado.
No entanto, a Counterpoint apontou anteriormente que, se a Changxin Storage espera manter a atual taxa de crescimento, depender apenas da demanda interna da China não é suficiente. Também precisa de expandir ainda mais a capacidade de produção e aumentar a penetração do produto nos mercados interno e externo.
Atualmente, um desafio importante enfrentado pela Changxin Storage é a velocidade de expansão da capacidade. Em comparação com a Samsung e a SK Hynix, a sua escala global de produção é ainda menor, e o mercado global de DRAM está a entrar numa nova ronda de ciclo de crescimento da procura impulsionada pela inteligência artificial. Os grandes fabricantes podem priorizar o atendimento da demanda do mercado por HBM e memória de servidor com margens de lucro mais altas, ajustando suas linhas de produção e estruturas de produtos.
É importante notar que o desenvolvimento da inteligência artificial não está apenas aumentando a demanda por HBM, mas também promovendo novamente o mercado tradicional de DRAM.
À medida que os agentes de IA (Agentic AI) assumem gradualmente tarefas mais complexas, a dependência do sistema do servidor em relação à CPU aumenta novamente. Ao contrário da infraestrutura inicial de IA, que dependia principalmente de GPUs para computação paralela em grande escala, os agentes de IA que podem planejar, chamar ferramentas e executar tarefas de várias etapas de forma autônoma exigem que a CPU realize mais trabalho de agendamento, processamento de dados e gerenciamento de sistema.
Ao mesmo tempo, a proporção entre GPUs e CPUs nas configurações dos servidores também está mudando. Esta proporção diminuiu agora para cerca de 2:1. O CEO da Intel, Chen Liwu, disse anteriormente na teleconferência de resultados do segundo trimestre da empresa que essa proporção atingiu 8:1 no passado e depois caiu para 4:1.
A mudança na proporção de GPU para CPU significa que os futuros data centers de IA podem não apenas precisar de mais HBM, mas também aumentar a capacidade DRAM dos servidores tradicionais para atender às necessidades de CPU, operação do sistema e processamento de dados.
Isso é de grande importância para toda a indústria de DRAM. Embora a HBM tenha um limite técnico e um valor de produto mais elevados, a DRAM tradicional ainda é um componente básico de armazenamento indispensável para servidores, computadores pessoais e equipamentos eletrônicos de consumo. A expansão da infraestrutura de IA está a impactar ambos os mercados simultaneamente.
Para a Changxin Storage, o atual ambiente de mercado não só traz oportunidades, mas também aumenta a pressão competitiva. Por um lado, o aumento dos preços tradicionais de DRAM ajudará a melhorar o rendimento e a rentabilidade das empresas; por outro lado, grandes fabricantes como a Samsung estão a expandir a sua capacidade de produção, o que também poderá comprimir a quota de mercado de outros fabricantes.
É particularmente importante notar que o declínio na participação de mercado de 10% para 9% não significa um declínio absoluto na receita ou nas remessas reais da Changxin Storage. Uma vez que a dimensão do mercado global de DRAM, os preços dos produtos e a estrutura de receitas dos fabricantes estão a mudar rapidamente, as alterações na partilha de receitas num único trimestre não podem ser diretamente equiparadas a mudanças na capacidade de produção ou na competitividade tecnológica.
De uma perspectiva de longo prazo, se a Changxin Memory pode entrar no primeiro escalão do mercado global de DRAM ainda depende de pesquisa e desenvolvimento de processos avançados, rendimento de produção, escala de capacidade de produção e layout de produto de alto valor agregado. À medida que a demanda por servidores de inteligência artificial continua a crescer, a HBM se tornará uma importante área de competição para os fabricantes globais de armazenamento, e o mercado tradicional de DRAM continuará a ser impulsionado pela expansão da infraestrutura de IA.
Atualmente, a participação de mercado global da Changxin Memory ainda é significativamente inferior à da Samsung e da SK Hynix, mas alcançou uma melhoria significativa em comparação com o mesmo período do ano passado. Nos próximos trimestres, à medida que os preços globais da memória, a alocação de capacidade da HBM e as necessidades de aquisição local da China continuarem a mudar, haverá novos ajustes na competição por quota de mercado entre os três fabricantes.
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