Resumo:
À medida que a demanda por memória avançada de inteligência artificial, computação de alto desempenho e dispositivos móveis de próxima geração continua a crescer, a gigante sul-coreana de chips de memória SK Hynix está acelerando sua transformação para o processo DRAM 1c de última geração. As últimas notícias do setor mostram que a empresa está ajustando sua estrutura de capacidade de produção em grande escala e planeja migrar cada vez mais produtos DRAM para a produção de nós de processo 1c de 10 nanômetros de sexta geração, e espera-se que estabeleça a posição dominante deste processo nos próximos trimestres.
Os dados mostram que no primeiro trimestre de 2026, a DRAM 1c representou apenas cerca de 10% da produção geral de DRAM da SK Hynix; no segundo trimestre, aumentou para cerca de 13%. Após a entrada no terceiro trimestre, espera-se que esta proporção aumente significativamente para 24% e, no quarto trimestre, mais de um terço dos produtos DRAM serão fabricados utilizando o processo 1c, representando cerca de 34%. De acordo com o plano atual, até o primeiro trimestre de 2027, a proporção do processo 1c aumentará ainda mais para cerca de 35%, excedendo pela primeira vez a proporção do nó 1b do processo principal atual de cerca de 33%, tornando-se a plataforma de produção DRAM mais importante da SK Hynix.
Indicadores do setor apontaram que os nós do processo DRAM e os processos de fabricação de chips lógicos não podem simplesmente corresponder. Os fabricantes de armazenamento geralmente distinguem diferentes gerações de tecnologia DRAM de 10 nanômetros por "1a, 1b, 1c" e outros métodos. As principais diferenças se refletem na densidade do transistor, na contagem de camadas de litografia EUV e na complexidade geral de fabricação. O tamanho real do projeto do processo 1b atualmente amplamente utilizado da SK Hynix é de cerca de 12 a 13 nanômetros e usa cerca de 4 camadas de tecnologia de litografia EUV; enquanto o processo 1c mais recente é ainda mais reduzido para cerca de 11 a 12 nanômetros, enquanto usa 5 a 6 camadas de tecnologia de litografia EUV para obter maior densidade e melhor eficiência energética.
De acordo com o plano, o processo 1c realizará a produção de muitos produtos importantes da SK Hynix no futuro, incluindo memória de alta largura de banda HBM4E para o mercado de inteligência artificial, memória móvel LPDDR6 de nova geração e produtos de memória para servidor e desktop DDR5. O atual processo 1b principal é usado principalmente em produtos como DDR5, LPDDR5X, HBM3E e HBM4.
Do ponto de vista da concorrência industrial, a Samsung Electronics e a Micron também estão promovendo a transformação dos processos 1c, mas a SK Hynix está diminuindo rapidamente a lacuna e espera-se que a alcance. Atualmente, aproximadamente 16% da produção de DRAM da Samsung vem do processo 1c, e aproximadamente 19% da Micron, ambos superiores à proporção de 13% da SK Hynix no segundo trimestre. No entanto, com a rápida mudança de capacidade de produção no segundo semestre do ano, a SK Hynix deverá alcançar a ultrapassagem no quarto trimestre e se tornar um dos fabricantes com maior capacidade de produção de DRAM 1c no mundo.
Os analistas acreditam que uma das razões importantes pelas quais a SK Hynix está promovendo ativamente o processo 1c é que sua principal vantagem no mercado de memória de alta largura de banda continua a se expandir. À medida que a demanda por servidores de IA explode, o HBM se tornou um dos mais importantes produtos de alto lucro, e o processo 1c se tornará uma importante base técnica para a próxima geração do HBM4E. Ao concluir a introdução de processos avançados antes do previsto, a empresa espera consolidar ainda mais a sua posição competitiva no mercado de armazenamento de IA.
No entanto, à medida que a redução da DRAM continua a avançar, a indústria também enfrenta novos desafios técnicos. A tradicional estrutura de célula de memória planar 6F² está cada vez mais próxima do limite físico, e a dificuldade e o custo de continuar a reduzir o tamanho estão aumentando. Portanto, os fabricantes de memória, incluindo a SK Hynix, começaram a pesquisar a próxima geração de arquitetura de transistor de porta vertical 4F² e tecnologia de empilhamento DRAM 3D, na esperança de romper os gargalos técnicos existentes por meio de novos projetos estruturais.
Embora a arquitetura da próxima geração ainda esteja em fase de pesquisa e desenvolvimento, a indústria geralmente acredita que o processo 1c continuará a desempenhar um papel central nos próximos anos. Para a SK Hynix, esta não é apenas uma atualização rotineira de processos, mas também um importante ponto de viragem estratégico na competição por armazenamento de alto desempenho na era da IA.
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