Resumo:
O fabricante chinês de chips de memória flash Yangtze Memory Technology Co., Ltd. (YMTC) está expandindo seu layout de tecnologia de memória flash NAND para memória DRAM. De acordo com informações divulgadas recentemente pela Counterpoint Research, a Yangtze Memory está desenvolvendo produtos de memória de baixo consumo de energia com uma taxa de transmissão de dados de 9.600 MT/s e planeja promover a produção em massa em sua terceira fábrica de wafers em Wuhan. Isso significa que a Yangtze Memory está tentando entrar no mercado DRAM que há muito é dominado pela Samsung, SK Hynix, Micron e outras empresas.
De acordo com um relatório da Counterpoint Research, a Yangtze Memory vem desenvolvendo e testando memória LPDDR5 de 16 Gb de segunda geração em sua segunda fábrica de wafers desde outubro de 2025. A taxa de transmissão de dados alvo é de 7.500 MT/s, e a capacidade de produção mensal das linhas de produção relevantes é de aproximadamente 5.000 wafers. No entanto, este projeto ainda está em fase de pesquisa, desenvolvimento e testes, e o relatório não indica que o produto tenha entrado em produção comercial em larga escala.
Com base nisso, a Yangtze Storage também está desenvolvendo uma versão de alta velocidade de 9.600 MT/s. Diferente do projeto de P&D da geração anterior, a nova solução planeja usar transistores de canal vertical (VCT) e arquitetura de célula de memória 4F², e planeja promover a produção em massa na terceira fábrica de wafer. Deve-se notar que as informações existentes descrevem os objetivos de P&D e planos de produção futuros, e não confirmam que o produto de 9.600 MT/s tenha concluído a verificação ou entrado oficialmente na produção em massa.
A chave para esse caminho técnico é como reduzir ainda mais a área ocupada pelas células de armazenamento DRAM. A DRAM tradicional geralmente adota o layout de células de memória 6F², onde F representa o tamanho mínimo do recurso no design do processo. A arquitetura 4F² tenta reduzir a área plana ocupada por cada unidade de memória, organizando verticalmente os transistores e outras estruturas, aumentando assim a capacidade de armazenamento que pode ser integrada por unidade de área do chip.
Se a arquitetura 4F² conseguir alcançar uma fabricação estável sob processos avançados, teoricamente haverá uma oportunidade de aumentar a densidade de integração dos chips DRAM e criar espaço para reduzir os custos de capacidade unitária. No entanto, esta arquitetura também enfrenta desafios na estrutura do transistor, processo de fabricação, controle de vazamento, confiabilidade e rendimento. Mesmo que um protótipo de laboratório possa atingir a velocidade desejada, isso não significa que tenha o desempenho abrangente necessário para a produção comercial em larga escala.
A escolha dessa direção pela Yangtze Storage está relacionada ao acúmulo de tecnologia existente. A empresa é famosa por seu negócio de memória flash NAND. Sua tecnologia Xtacking melhora a flexibilidade do projeto e fabricação de memória flash, fabricando a matriz de armazenamento e os circuitos periféricos separadamente e, em seguida, integrando-os por meio de ligação. A Counterpoint Research acredita que a Yangtze Memory está tentando estender a experiência técnica relevante ao campo DRAM. No entanto, existem diferenças óbvias na estrutura da unidade de armazenamento, no mecanismo de funcionamento e nos requisitos de fabricação entre NAND e DRAM. Não se pode simplesmente acreditar que o sucesso no campo da memória flash possa ser copiado diretamente para o mercado de memória.
É importante notar que a Yangtze Storage não é o único fabricante chinês de armazenamento que está testando a arquitetura 4F². Outro fabricante de DRAM, Changxin Memory (CXMT), também está explorando essa rota tecnológica e planeja lançar módulos de memória duplos em linha registrados DDR5 baseados na arquitetura 4F² até o final de 2026. No entanto, o plano também enfrenta incertezas na verificação técnica e na viabilidade da produção em massa.
Os gigantes internacionais do armazenamento estão cautelosos quanto às perspectivas da arquitetura 4F². A Micron Technology já questionou publicamente os problemas fundamentais no encolhimento desta estrutura de unidade de memória, acreditando que ainda existem obstáculos técnicos intransponíveis à sua aplicação em larga escala. Isto reflete que a atual indústria de DRAM ainda não chegou a um julgamento unânime sobre a rota técnica da arquitetura de células de memória da próxima geração. Se a Yangtze Storage e a Changxin Storage podem resolver esses problemas por meio de diferentes projetos de engenharia, ainda será verificado pelos produtos subsequentes e pelos dados de fabricação.
Ao mesmo tempo, o momento da entrada da Yangtze Memory no mercado DRAM também está relacionado às mudanças na oferta e na demanda na indústria global de armazenamento. A rápida expansão dos data centers de inteligência artificial impulsionou o crescimento da demanda por memória de alta largura de banda, DRAM de servidor e unidades de estado sólido. Samsung, SK Hynix e Micron estão investindo muitos recursos em produtos de armazenamento relacionados à inteligência artificial, e a memória usada em computadores e smartphones comuns também é afetada por mudanças na estrutura de fornecimento. Para os fabricantes chineses, se conseguirem lançar produtos DRAM de forma constante com desempenho qualificado e custo competitivo, terão a oportunidade de aumentar a participação no mercado de memória nacional.
No entanto, o impacto deste plano de pesquisa e desenvolvimento no mercado global de memória não pode ser superestimado no curto prazo. A Counterpoint Research apontou que o progresso da pesquisa e desenvolvimento dos produtos de 9.600 MT/s da Yangtze Memory, o status de verificação do cliente e o status de execução da produção em massa da terceira fábrica de wafer são todos indicadores que precisam ser observados de perto no futuro. Atualmente, não existe informação pública suficiente para provar que o produto atingiu o desempenho pretendido e não existe um calendário claro de produção em massa, dados de produção ou informações sobre o rendimento de fabrico.
Além disso, 9.600 MT/s é apenas um dos indicadores da taxa de transferência de dados e não pode, por si só, determinar a competitividade geral dos produtos de memória. Para memórias de baixo consumo de energia, como LPDDR5X, consumo de energia, dissipação de calor, estabilidade, capacidade, esquema de empacotamento, compatibilidade e custo são igualmente importantes. Mesmo que a Memória Yangtze possa eventualmente atingir essa velocidade, ela ainda precisará ser verificada pelos fabricantes de terminais antes de poder entrar na cadeia de fornecimento de smartphones, laptops ou outros dispositivos.
De uma perspectiva de longo prazo, a Yangtze Storage está tentando quebrar a divisão comercial original do trabalho na indústria de armazenamento da China. No passado, o principal negócio da Yangtze Memory era a memória flash NAND, enquanto a Changxin Memory desenvolvia principalmente memória DRAM. Hoje, ambas as empresas estão explorando os mercados uma da outra, e a concorrência futura pode não envolver apenas a velocidade e o preço do produto, mas também se estender aos processos de fabricação, arquitetura de células de memória, layout de patentes e escala de capacidade de produção.
Em geral, a Yangtze Memory desenvolveu memória LPDDR de 9.600 MT/s e planeja promover a produção em massa em sua terceira fábrica de wafer, mostrando que está expandindo ativamente seu negócio de DRAM. Mas este ainda é um plano que precisa de ser submetido a verificação técnica e testes de produção em larga escala, em vez de um produto maduro que já está no mercado. No futuro, o que realmente determinará se poderá desafiar os gigantes internacionais do armazenamento será o desempenho do produto, o rendimento da produção, o controlo de custos e a capacidade de continuar a expandir a capacidade de produção.
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