A Samsung Electronics apresentará sua primeira ferramenta de litografia EUV High-NA0.55, alcançando assim um grande salto na tecnologia de fabricação de semicondutores. A empresa planeja instalar o sistema ASMLTwinscanEXE:5000 em seu campus de Hwaseong entre o quarto trimestre de 2024 e o primeiro trimestre de 2025, marcando um passo fundamental no desenvolvimento de tecnologia de processo de próxima geração para produção de lógica e DRAM.
A mudança coloca a Samsung um ano atrás da Intel na adoção da tecnologia High-NAEUV, mas à frente dos rivais TSMC e SK Hynix. Prevê-se que o sistema esteja operacional em meados de 2025 e será utilizado principalmente para fins de investigação e desenvolvimento.
A Samsung não se concentra apenas no equipamento de litografia em si, mas também na construção de um ecossistema abrangente em torno da tecnologia High-NAEUV. A empresa está trabalhando com vários parceiros importantes, como Lasertec (desenvolvendo equipamentos de inspeção para retículos de alto NA), JSR (desenvolvendo fotorresistentes avançados), Tokyo Electron (aprimorando gravadores) e Synopsys (mudando para padrões curvos em retículos para melhorar a precisão do circuito). Espera-se que a tecnologia High-NAEUV faça progressos significativos na fabricação de chips.
Em comparação com os atuais sistemas ultravioleta de baixo nível de nanossegundos, a tecnologia ultravioleta de segundo nível High-NA tem uma capacidade de resolução de 8 nanômetros, o que pode reduzir o tamanho dos transistores em aproximadamente 1,7 vezes e aumentar a densidade dos transistores em quase três vezes. No entanto, a transição para um NAEUV elevado também enfrenta desafios. Essas ferramentas são mais caras, custando até US$ 380 milhões cada, e têm áreas de imagem menores. Seu tamanho maior também exige que os fabricantes de chips repensem o layout da fábrica.
Apesar destes obstáculos, a Samsung pretende alcançar a aplicação comercial da tecnologia de ultra-alto vácuo High-NA até 2027.