Segundo relatos,A Samsung planeja relançar sua tecnologia de armazenamento Z-NAND com uma meta de melhoria de desempenho de até 15 vezes em comparação com a memória flash NAND tradicional, reduzindo o consumo de energia em 80%.Além disso, a Samsung também desenvolveu uma nova tecnologia chamada “GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS)” que permite que a GPU acesse diretamente dispositivos de armazenamento Z-NAND, semelhante à API DirectStorage da Microsoft.
A tecnologia Z-NAND da Samsung foi lançada originalmente em meados da década de 2010 com o objetivo de competir com a tecnologia de armazenamento 3D XPoint Optane da Intel. Ambos introduzem um novo tipo de armazenamento de estado sólido com desempenho próximo ao DRAM e latência do sistema muito menor do que os SSDs tradicionais.
Ao contrário do 3D XPoint Optane da Intel, o Z-NAND de primeira geração da Samsung é essencialmente uma versão acelerada do SSD NAND SLC.
É baseado em um design V-NAND aprimorado, adota uma estrutura de 48 camadas e opera no modo de célula de camada única (SLC). Sua principal melhoria é reduzir o tamanho da página para 2 a 4 KB, alcançando assim velocidades mais rápidas de leitura e gravação de dados e menor latência do sistema.
Na época, as unidades baseadas em Intel Optane e Samsung Z-NAND eram de 6 a 10 vezes mais rápidas do que os SSDs tradicionais e, se o Z-NAND de próxima geração da Samsung correspondesse às expectativas, poderia ter um desempenho até 15 vezes melhor do que os SSDs NVMe atuais.
