A Samsung desenvolveu recentemente uma nova geração de memória LPDDR6 de baixo consumo para aplicações em dispositivos móveis, usando uma tecnologia de processo de 12 nanômetros e uma taxa de dados de módulo de até 10,7 Gbps. Os engenheiros da Samsung aumentaram o número de canais de entrada/saída e introduziram a tecnologia de ajuste dinâmico de energia para que a memória possa ajustar instantaneamente o consumo de energia de acordo com a carga de trabalho.
Além disso, a Samsung integrou poderosos recursos de segurança ao sistema de memória para garantir a integridade dos dados para diversas aplicações. Vale ressaltar que o mais recente LPDDR5X otimizado da Samsung também atinge uma taxa de 10,7 Gbps, que também se tornou o padrão inicial para a nova geração do LPDDR6.
Assim como no processo de transição de DDR4 para DDR5, a configuração final do produto da geração anterior costuma ser semelhante ao desempenho da primeira geração do novo padrão. A Samsung disse que a eficiência energética do LPDDR6 é 21% maior que a do LPDDR5X. Ao atingir a mesma largura de banda e velocidade, o consumo de energia do dispositivo é reduzido para um quinto.
A Samsung espera que o LPDDR6 possa atingir velocidades mais altas no futuro, de até 14 Gbps, superando a versão existente com overclock do chip LPDDR5X. Na CES no início do próximo ano, a Samsung demonstrará equipamentos terminais equipados com nova memória e divulgará detalhes técnicos.