Novos relatórios da Coreia do Sul afirmam que a Samsung Foundry fez progressos importantes na produção em massa de seu processo FinFET de 4 nm, e a taxa de rendimento excedeu 80%, o que significa que o processo entrou oficialmente no estágio de maturidade do processo. Este nó é visto como um marco importante para a Samsung alcançar a rival TSMC na área de processos de fabricação avançados.
O relatório apontou que a base de produção da Samsung Electronics no Parque Pyeongtaek não apenas produz chips de 5nm e 7nm em massa, mas também tem a capacidade de fornecer chips de 4nm em larga escala para clientes em aceleradores de inteligência artificial, eletrônicos automotivos e dispositivos móveis. Este desenvolvimento ajudará a Samsung a competir mais diretamente com a TSMC em termos de encomendas, à medida que a procura por armazenamento de alto desempenho e chips de computação dos gigantes globais da tecnologia atinge novos máximos.
O atual processo de 4 nm da fundição de wafer da Samsung também é o processo de chip básico usado por seu chip de memória de alta largura de banda HBM4 de sexta geração. Em cenários como treinamento e raciocínio em IA, data centers e placas gráficas de ponta, a demanda por armazenamento de alta largura de banda, como HBM, continua a aumentar, aumentando ainda mais o valor estratégico do processo estável e maduro de 4 nm para o negócio geral de semicondutores da Samsung.
Nos últimos seis anos, a Samsung continuou a promover a produção em massa de chips de 4 nm em larga escala. A actual taxa de rendimento superior a 80% é considerada um sinal de que o processo entrou numa fase madura, o que deverá amortecer até certo ponto o impacto do recente aumento nos preços da memória. O relatório prevê que, com a melhoria do rendimento da linha de produção e das remessas de 4 nm, a Samsung deverá reverter o seu desempenho de lucro, que foi pressionado pelo aumento dos preços de armazenamento no segundo semestre deste ano, e empurrar o negócio de semicondutores de volta a uma trajetória lucrativa.