Área de memória Changxin G6 reduzida em mais 30%, estreia do processo de ligação

Resumo:

A previsão do indicador técnico da plataforma de tecnologia de memória de próxima geração G6 do fabricante nacional de DRAM Changxin Technology vazou recentemente.

O plano mostra que Changxin continuará a usar o processo de litografia DUV para produzir memória da geração G6, que deverá ser lançada em 2028. A área da unidade do chip será ainda mais reduzida de 0,00128205 mícrons quadrados na geração G5 para 0,000896 mícrons quadrados, uma redução de 30%.

Na ausência de máquinas de litografia EUV, a Changxin está se aproximando dos limites físicos desta tecnologia através da otimização profunda da combinação do processo DUV.

De acordo com os dados de previsão divulgados pelo técnico da plataforma X Frederick Chen, o encolhimento da área unitária do G6 será alcançado continuando a otimizar a máquina de litografia de imersão DUV de 193 nm, combinada com a tecnologia de padrão quádruplo autoalinhado (SAQP), e alguns níveis usarão o processo de padrão duplo autoalinhado (SADP).

Do ponto de vista dos indicadores de nós de processo, o espaçamento WL (linha de palavra) do G6 será ainda mais reduzido de 33,3 nanômetros do G5 para 28 nanômetros, o espaçamento BL (linha de bits) será reduzido de 38,5 nanômetros para 32 nanômetros e o espaçamento AA (área ativa) será reduzido de 23,9 nanômetros para 20 nanômetros.

A solução fotorresistente será atualizada simultaneamente. A camada de corte AA será atualizada de 193i LE4 para 193i LE4 ou X-SADP, e a opção X-SADP também será introduzida para a camada de contato de linha de bits.

A primeira introdução do processo de ligação é a variável técnica mais crítica no plano do G6.

Esta ideia é altamente consistente com o layout técnico da Changxin na arquitetura 4F². Cao Kanyu, presidente da Changxin Technology, deixou claro na 4ª Conferência Integrada de Chips e Chips que um dos principais avanços da arquitetura 4F² é desacoplar a DRAM dos processos CMOS e então obter interconexão de alta velocidade por meio de ligação híbrida em nível de wafer. Este é um ponto de viragem fundamental para a DRAM, do escalonamento bidimensional para a integração tridimensional. A Changxin espera lançar uma nova geração de produtos DDR5 RDIMM incorporando esta tecnologia até o final deste ano.

G6 pode ser o produto de última geração com estrutura de chip de memória 6F². A previsão aponta que Changxin desenvolveu antecipadamente a tecnologia de memória 3D e suas camadas de empilhamento DRAM 3D podem atingir mais de 64 camadas. Espera-se que os produtos da geração G7 lançados após 2030 possam mudar para estrutura 4F² ou arquitetura de memória 3D.